| 发明名称 | 把MSQ粘附到衬里氧化物的方法和结构 | ||
| 摘要 | 在半导体基板上沉积衬里电介质的方法保证了用亚微米工艺在金属层之中低介电常数旋压材料的足够的粘附。在实施例中，该方法保证把MSQ粘附在衬里氧化物在半导体基板上的铝合金层上。首先，将基板放入PECVD环境中。把三甲基硅烷和N<SUB>2</SUB>O的气体混合物导入PECVD环境中，三甲基硅烷与N<SUB>2</SUB>O的比例大约为1∶20－1∶30。气体混合物起反应，沉积一预定厚度的氧化物衬里。把三甲基硅烷与N<SUB>2</SUB>O气体混合物的比例调到大约1∶3－1∶7，经过5－20秒钟，持续反应，由此沉积甲基掺杂氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1411607A | 申请公布日期 | 2003.04.16 |
| 申请号 | CN01802450.5 | 申请日期 | 2001.08.09 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | R·V·安纳普拉加达 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L23/532 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，该器件包括形成图案的金属层、第一衬里电介质层、第二衬里电介质层和旋压电介质层，第二衬里电介质层比第一衬里电介质层具有对金属更小的化学亲和力和对旋压电介质层更强的化学亲和力。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||