发明名称 纳米氧化钴的制造方法
摘要 一种纳米氧化钴的制造方法,其特点是采用硝酸或硫酸溶解金属钴,并在表面活性剂存在下,用碳酸氢盐反应生成碳酸钴,再经过滤、洗涤、焙烧等工序制造出纳米级氧化钴粉末,其颗粒粒径为5~60nm,纯度高,杂质含量少,具有球形和高比表面积等特点,符合电子级粉体材料的要求,可以广泛用于电气、化工及合金材料领域。
申请公布号 CN1105682C 申请公布日期 2003.04.16
申请号 CN99114908.4 申请日期 1999.06.02
申请人 成都蜀都电子粉体材料厂 发明人 胡天兵;戴晖;赵娟
分类号 C01G51/04 主分类号 C01G51/04
代理机构 成都科海专利事务有限责任公司 代理人 邓继轩
主权项 1.一种纳米氧化钴的制造方法,其特征在于:(1)钴盐溶液的配制采用硝酸或硫酸溶解金属钴,生成硝酸钴或硫酸钴水溶液,溶液中钴含量为50~300克/升,游离酸控制在20克/升以下,(2)碳酸氢盐溶液的配制将碳酸氢盐配制成5~40%的水溶液,(3)碳酸钴的制备将配制的硝酸钴或硫酸钴水溶液加入带有搅拌器和温度计的反应釜中,在搅拌下于温度40~100℃加入碳酸氢盐溶液反应生成碳酸钴料浆,(4)碳酸钴料浆过滤、洗涤将碳酸钴料浆过滤,并用沸水或热水洗涤,(5)碳酸钴的焙烧将洗涤好的碳酸钴置入焙烧炉中,于温度300~550℃,焙烧5~25小时,获得纳米级氧化钴粉末,其颗粒粒径为5~60nm,其中,在碳酸钴的制备时,硝酸钴或硫酸钴的水溶液中引入表面活性剂,用量为溶液中钴含量的0.01%~10%。
地址 610063四川省成都外东高攀桥成都蜀都电子粉体材料厂