一种半导体器件的制造方法

摘要

为提供一种半导体器件的制造方法，其中在该半导体器件的沟槽隔离工艺中，在沟槽中不形成任何空隙，而且沟槽的重复间距可以减少到光刻技术的极限，本发明的方法包括，在沟槽隔离工艺中，经一硬掩模蚀刻硅基片以形成沟槽的步骤，以及处理该硬掩模以致使其上部成锥形的步骤。

主权项

1.一种用于制造具有元件隔离区的半导体器件的方法，其特征在于至少包括如下步骤：在半导体基片的表面形成一隔离膜，通过将该隔离膜蚀刻成一预定的形状形成一隔离膜掩模，通过该隔离膜掩模蚀刻半导体基片形成一沟槽，将该隔离膜掩模处理成锥形，致使该隔离膜掩模的上部分的宽度能够小于其下部分宽度，将隔离材料埋置入该沟槽，在向沟槽中埋入隔离材料时，锥形的隔离膜掩模是保留的。