发明名称 |
磁记录介质和磁存储器 |
摘要 |
一种磁记录介质,它具有:第一底涂层(41、41’),它们直接或通过基底面底涂层而形成在基底(40)上;第二底涂层(42、42’),它们直接形成在第一底涂层(41、41’)上;磁膜(43、43’),它们被形成在第二底涂层(42、42’)上;以及,保护膜(44、44’),它们被形成在磁膜(43、43’)上。具有大量的氧的团散布在第一和第二底涂层的界面上。较好地,第一底涂层用包括两种元素的合金制成—这两种元素的氧化物形成标准自由能ΔG°之差在250℃的温度下是很大的。 |
申请公布号 |
CN1106005C |
申请公布日期 |
2003.04.16 |
申请号 |
CN97122430.7 |
申请日期 |
1997.11.05 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
松田好文;石川晃;屋久四男;细江让;神边哲也;阪本浩二 |
分类号 |
G11B5/66 |
主分类号 |
G11B5/66 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1.一种磁记录介质,包括:一个基底;在该基底的两个表面上形成且由两种或多种不同种类的元素构成的合金制成的第一底涂层;直接形成在该第一底涂层上的第二底涂层;以及形成在该第二底涂层上的磁膜,其中由富含易于氧化的元素的区域构成的团局部氧化后散布于第一与第二底涂层的界面上。 |
地址 |
日本东京 |