发明名称 |
用由假图形所形成的光刻胶掩模将层精确构图成目标图形的方法 |
摘要 |
由于显影后烘烤中的收缩而使光刻胶掩模(23a)的表面中出现张力,而形成于光刻胶掩膜中的粘附力(23c)吸收了该张力,因而保持对半导体衬底(22)粘附力,防止了光刻胶图形出现不希望的变形(图3D)。 |
申请公布号 |
CN1106029C |
申请公布日期 |
2003.04.16 |
申请号 |
CN95113199.0 |
申请日期 |
1995.12.28 |
申请人 |
NEC化合物半导体器件株式会社 |
发明人 |
佐仓直喜 |
分类号 |
H01L21/027;G03C5/00 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
萧掬昌;邹光新 |
主权项 |
1.一种构成带有图形的层(22;31)的方法,包括 下述工艺步骤: (a)在半导体衬底(22;32)上或其上方制备光刻 胶层(23;34); (b)把掩模图形(24a)转移到所述光刻胶层(23; 34); (c)将所述光刻胶层(23;34)中的所述掩模图 形(24a)显影,将所述光刻胶层构成光刻胶掩模(23a; 34a); (d)烘烤所述光刻胶掩模(23a;34a),以便提 高附着力;以及 (e)用所述光刻胶掩模(23a;34a),在半导体 衬底(22;32)中或其上构成所述的带有所述图形的层 (22;31), 其特征是: 所述掩模图形有:用于构成带有所述图形的所述层 (22;31)的主图像(24c;25a),和用于在所述光刻胶 层(23;24)中构成至少一个槽(23c;34c)的假图像(24d; 25b),以使所述槽(23c;34c)在所述步骤(c)中构成在 所述光刻胶掩模(23a;34a)中。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |