发明名称 | 掩模图形制成方法及半导体装置的制造方法 | ||
摘要 | 一种由设计图形生成掩模图形的掩模图形制成方法,包括:直到前述设计图形的设计结束为止,制成修正库,该修正库记录有由前述设计图形的掩模蚀刻坐标组、和用于修正前述边缘坐标组的修正值组组成的对;获得设计结束后的设计图形的第一个边缘坐标组;将对应于与第一个边缘坐标组一致的边缘坐标组的修正值组记录到前述修正库中,或从该修正库中调出;在无记录的情况下,通过根据预先确定的修正参数进行的模拟,计算出第一边缘坐标组的修正值组;将由第一边缘坐标组和修正值组构成的对追加记录到前述修正库中;在有记录的情况下,从前述修正库中读取对应的修正值组;和根据计算出的修正值组、或读出的修正值组中的任何一个,对设计图形进行修正,生成掩模图形。 | ||
申请公布号 | CN1411034A | 申请公布日期 | 2003.04.16 |
申请号 | CN02144071.9 | 申请日期 | 2002.09.29 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小谷敏也;田中聪;井上壮一;小林幸子;市川裕隆 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;陈海红 |
主权项 | 1、一种由设计图形生成掩模图形的掩模图形制成方法,包括:直到前述设计图形的设计结束为止,制成修正库,该修正库记录有由前述设计图形的边缘坐标组、和用于修正前述边缘坐标组的修正值组构成的对,获得设计结束后的设计图形的第一个边缘坐标组,将对应于与第一个边缘坐标组一致的边缘坐标组的修正值组记录到前述修正库中,或从该修正库中调出,在无记录的情况下,通过根据预先确定的修正参数进行的模拟,计算出第一边缘坐标组的修正值组,将由第一边缘坐标组和修正值组构成的对追加记录到前述修正库中,在有记录的情况下,从前述修正库中读取对应的修正值组,根据计算出的修正值组、或读出的修正值组中的任何一个,对设计图形进行修正,生成掩模图形。 | ||
地址 | 日本东京 |