| 主权项 |
1.一种微影蚀刻后的光阻处理方法,适用于具有一第一表面与第二表面之晶圆,该晶圆之第一表面覆盖有一光阻,系包含:在该晶圆之第一表面进行一乾式蚀刻以去除该光阻;在氧气条件下进行一氧化程序以在该晶圆之第二表面形成一氧化层;以及进行一清洗程序以清洁该晶圆之第一与第二表面。2.根据申请专利范围第1项所述之微影蚀刻后的光阻处理方法,其中该清洗程序系于一湿式清洗机台上进行。3.根据申请专利范围第2项所述之微影蚀刻后的光阻处理方法,其中该清洗程序系以光阻去除溶液清洁该晶圆。4.根据申请专利范围第1项所述之微影蚀刻后的光阻处理方法,其中该乾式蚀刻系在一通入氧气的乾蚀刻机台上进行。5.根据申请专利范围第4项所述之微影蚀刻后的光阻处理方法,其中该氧化程序系以电浆方式将氧气解离以在该晶圆之第二面形成一氧化层。6.根据申请专利范围第4项所述之微影蚀刻后的光阻处理方法,其中该氧化层为二氧化矽。7.根据申请专利范围第4项所述之微影蚀刻后的光阻处理方法,其中该氧化程序系于该乾蚀刻机台上以临场(in-situ)方式进行。8.一种内连线制造方法,适用于具有一第一表面与第二表面之晶圆,其中该晶圆之第一表面已形成既定之半导体元件,系包含:在该晶圆之第一表面依序形成一第一金属层、一介电层与一光阻层;以一微影曝光显影程序在该光阻层上定义出欲形成内连线之图案;以该光阻层之图案为幕罩,进行一微影蚀刻程序在该介电层上形成内连线之接触洞;在该晶圆之第一表面进行一乾式蚀刻以去除该光阻层;在氧气条件下进行一氧化程序以在该晶圆之第二表面形成一氧化层;进行一清洗程序以清洁该晶圆之第一与第二表面;以及在该接触洞中沈积一内连线材料。9.根据申请范围第8项所述之内连线制造方法,其中该清洗程序系于一湿式清洗机台上进行。10.根据申请范围第9项所述之内连线制造方法,其中该清洗程序系以光阻去除溶液清洁该晶圆。11.根据申请范围第8项所述之内连线制造方法,其中该乾式蚀刻系在一通入氧气的乾蚀刻机台上进行。12.根据申请范围第11项所述之内连线制造方法,其中该氧化程序系以电浆方式将氧气解离以在该晶圆之第二面形成一氧化层。13.根据申请范围第12项所述之内连线制造方法,其中氧化层为二氧化矽。14.根据申请范围第11项所述之内连线制造方法,其中该氧化程序系于该乾蚀刻机台上以临场(in-situ)方式进行。图式简单说明:第1a至1d图所示为一般多重金属层内连线的制作流程。第2a与2b图所示为一般乾式蚀刻机台之晶圆承载平台结构上视图与侧视图。第3图所示为根据本发明之一实施例中的防止微影曝光离焦的方法流程。第4图所示为根据本发明之一实施例中的Mattson乾式蚀刻机台的承载平台构造示意图。第5图所示为根据本发明之一实施例中,多重金属内连线的制造方法流程。 |
