| 主权项 |
1.一种微影投射装置,其包含:一辐射系统,用以提供具有小于50毫微米的一波长1的一投射光束;一支撑结构,用以支撑图样装置,该图样装置可根据一想要图样而将该放射光束图样化;一基材平台,用以保持一基材;一投射系统,用以将该图样化光束投射到该基材的一目标部分;及一辐射感测器,其配置以便可接收来自放射光束的辐射,该感测器包含:一辐射敏感材料,其可转换将波长1的入射辐射光束转换成第二辐射光束;感测装置,其可侦测从该层投射的该第二辐射光束。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该辐射敏感材料可将波长1的该辐射转换成具有波长2的电磁辐射,而波长2是大于波长1。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该辐射敏感材料包含从下列组成群所选取的一混合物:CaS:Ce、YAG:Ce和ZnS:Ag、Al。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该辐射敏感材料可将波长1的该辐射转换成从该辐射敏感材料释放的电子。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该感测装置包含一测量装置,该测量装量是电连接到该辐射敏感材料,以便可测量透过进一步取代该等释放电子的电子所感应的一电流。6.如申请专利范围第5项之装置,其中一集极被配置以便可收集从该辐射敏感材料所释放的电子。7.如申请专利范围第4或5项之装置,其中该感测装置包含一集极以收集从该辐射体感材料所释放的该等电子;及一测量装置连接到该集极,以便测量由该等收集的电子所感应的一电流。8.如申请专利范围第6项之装置,其中该集极对于该辐射敏感材料系正充电,以便吸引该等释放电子。9.如申请专利范围第8项之装置,其中在该辐射敏感材料与该集极之间的一电场强度系选取足够大以克服空间电荷效应。10.如申请专利范围第9项之装置,其中该电场强度大于50V/公分。11.如申请专利范围第4.5.6.8.9或10项之装置,其中该辐射敏感材料系配置在一阵列的个别元件,而且该感测装置系配置以便个别侦测从该等个别元件所释放的电子。12.如申请专利范围第11项之装置,其中该等个别元件系配置为一线条阵列。13.如申请专利范围第4.5.6.8.9或10项之装置,其中该辐射敏感材料系包含在该图样装置之中至少一者,一反射器系由该投射系统中提供,而且一反射器系由该投射系统中提供。14.如申请专利范围第1.2.3.4.5.6.8.9或10项之装置,其中该支撑结构包含供保持一光罩的光罩平台。15.如申请专利范围第1.2.3.4.5.6.8.9或10项之装置,其中该投射系统包含一辐射源。16.一种装置制造方法,其包含下列步骤:提供一基材,其至少部分系藉由一辐射敏感材料层覆盖;使用一投射系统而提供一辐射放射光束,该投射光束具有小于50毫微米的一波长1;使用图样装置,以便在横截平台中提供具一图样的投射光束;将辐射的图样光束投射到该辐射敏感材料层的一目标部分;使用一射光束感测器以侦测该放射光束的辐射,该感测器包含:一辐射敏感层,其可将波长1的入射辐射光束转换成第二辐射光束;感测装置,其可侦测从该层投射的该第二辐射光束。图式简单说明:图1系根据本发明的一具体实施例而描述一微影投射装置;图2系描述图1装置的一反射类型投射系统;图3A系根据本发明的一第一具体实施例而描述一辐射感测器;图3B系描述图3A的一具体实施例变化;图4系根据本发明的一第二具体实施例而描述一辐射感测器;图5系描述一第二具体实施例的变化;图6.7和8系描述第二具体实施例变化的各种不同实施;图9系根据本发明的一第三具体实施例而描述一辐射感测器;及图10系根据本发明的一第四具体实施例而描述一辐射感测器。 |
