| 主权项 |
1.一种形成氮氧化层的方法,该方法包括:a)提供一晶片并移除该晶片上自然形成的氧化层;b)在该晶片形成一氮化层;c)对该氮化层进行再氧化而形成一氮氧化层;以及d)对该氮氧化层进行原位(in-situ)退火。2.如申请专利范围第1项所述之形成氮氧化层的方法,其中步骤(a)是将晶片以缓冲氧化矽蚀刻液(BOE)浸洗。3.如申请专利范围第2项所述之形成氮氧化层的方法,其中该缓冲氧化矽蚀刻液系选自HF或NH4F。4.如申请专利范围第1项所述之形成氮氧化层的方法,其中步骤(b)是以热氮化(Thermal nitridation)进行。5.如申请专利范围第4项所述之形成氮氧化层的方法,其中热氮化的处理条件,系于压力<10torr,温度800~1000℃之NH3氛团气下进行。6.如申请专利范围第1项所述之形成氮氧化层的方法,其中该步骤(b)氮化层厚度为13。7.如申请专利范围第1项所述之形成氮氧化层的方法,其中步骤(c)的氧化是在大气状态的O2中进行。8.如申请专利范围第7项所述之形成氮氧化层的方法,其中该氧化的处理温度为900℃。9.如申请专利范围第1项所述之形成氮氧化层的方法,其中步骤(d)的原位退火是在N2气体下进行。10.如申请专利范围第9项所述之形成氮氧化层的方法,其中该原位退火步骤的处理温度为900℃。11.如申请专利范围第1项所述之形成氮氧化层的方法,其中该氮氧化层厚度为28。图式简单说明:第1图系显示本发明之形成氮氧化层的方法的流程图第2图系显示根据本发明之实施例的各元素浓度分布图。第3图系显示习知技术的氧以及氮元素浓度分布图。 |
