单晶圆低压化学气相沈积装置

摘要

本揭露为一单晶圆低压化学气相(LPCVD)沉积装置，单晶圆低压化学气相沉积装置包括：一具有由石英圆顶密封之上部分的真空室，此真空室接收装载于其中的一单晶圆；一具有圆顶形内壁之钟口，此钟口覆盖石英圆顶，并由一选定的内间隙与石英圆顶隔开；一建立于钟口与石英圆顶间的圆顶形电浆电极；一射频电力供应器，以对圆顶形电浆电极供应射频电力；一在钟口的整个内壁上之绝热壁；一具有一加热线与一覆盖加热线之绝缘体的护皮(sheath)加热器，并将护皮加热器以线圈的形状贴附在绝热壁的表面上；及一建立在钟口壁内的冷却管。如此可增强真空室内的温度均匀性，且不需制造热制程的高温加热器。圆顶形电浆电极可由金属管取代，使得热可非常有效率地由护皮加热器传导至真空室内，并可得一电感偶合电浆。

主权项

1.一种单晶圆低压化学气相沉积装置,包括:一真空室,具有由一石英圆顶所密封之一上部分,且该真空室接收装载于该真空室中的一单晶圆;一钟口,具有一圆顶形内壁,且该钟口覆盖该石英圆顶,并由一选定的内间隙与该石英圆顶隔开;一圆顶形电浆电极,建立于该钟口与该石英圆顶间;一射频电力供应器,以对该圆顶形电浆电极供应射频电力;一绝热壁,在该钟口的整个内壁上;一护皮加热线,具有一加热线与一覆盖加热线之绝缘体,并将该护皮加热线以线圈的形状贴附在该绝热壁的表面上;及一冷却管,建立在该钟口之壁内。2.如申请专利范围第1项之单晶圆低压化学气相沉积装置,其中该护皮加热器之绝缘体由MgO所组成。3.一种单晶圆低压化学气相沉积装置,包括:一真空室,具有由一石英圆顶所密封之一上部分,且该真空室接收装载于该真空室中的一单晶圆;一钟口,具有一圆顶形内壁,且该钟口覆盖该石英圆顶,并由一选定的内间隙与该石英圆顶隔开;一绝热壁,在该钟口的整个内壁上;一护皮加热线,具有一加热线与一覆盖加热线之绝缘体,并将该护皮加热线以线圈的形状贴附在该绝热壁的表面上;一金属管,当作一电浆电极,且环绕该护皮加热器之非导体;一射频电力供应器,以对该金属管供应射频电力;及一冷却管,建立在该钟口之壁内。4.如申请专利范围第3项之单晶圆低压化学气相沉积装置,其中该护皮加热器之绝缘体由MgO所组成。5.如申请专利范围第3项之单晶圆低压化学气相沉积装置,其中该金属管由不锈钢所组成。图式简单说明:图1为示范传统单晶圆低压化学气相沉积装置的示意图;图2为示范根据本发明第一实施例之示意图;及图3及图4为示范根据本发明第二实施例之单晶圆低压化学气相沉积装置的示意图。