| 主权项 |
1.一种铜薄膜形成方法,乃属于收容基板并对处理减压状态之基板处理室内导入原料气体,且于前述基板形成铜薄膜之铜薄膜形成方法中,其特征为:于成膜初期施加导入前述原料气体,并施行导入添加气体,之后终止导入添加气体的同时,持续导入原料气体,完成形成铜薄膜。2.一种铜薄膜形成方法,乃属于收容基板并对处理减压状态之基板处理室内导入原料气体,且于前述基板形成铜薄膜之铜薄膜形成方法中,其特征为:于成膜初期施加导入前述原料气体,并施行导入添加气体,之后终止导入添加气体的同时,持续导入原料气体,于每一事先设定的间隔,施行导入前述添加气体,而完成形成铜薄膜。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之铜薄膜形成方法,其中,对基板处理室内导入添加气体后,开始对基板处理室内导入原料气体,并开始成膜。4.如申请专利范围第1项或第2项所述之铜薄膜形成方法,其中,添加气体系为使水蒸发之水蒸气、使醇衍生物蒸发之气体、使羧酸衍生物蒸发之气体、使-二酮衍生物蒸发之气体之任一种。5.如申请专利范围第1项或第2项所述之铜薄膜形成方法,其中,添加气体系为使施行除去溶解氧的处置之水蒸发的水蒸气、使施行除去溶解氧的处置之醇衍生物蒸发的气体、使施行除去溶解氧的处置之羧酸衍生物蒸发的气体、使施行除去溶解氧的处置之-二酮衍生物蒸发的气体之任一种。6.如申请专利范围第1项或第2项所述之铜薄膜形成方法,其中,基板处理室内导入的添加气体系被填充于连接在基板处理室的气瓶,从该气瓶将使水蒸发的水蒸气导入基板处理室内。7.如申请专利范围第1项或第2项所述之铜薄膜形成方法,其中,原料气体系为使[三甲基乙烯甲矽烷基]六氟乙醯丙酮酸盐铜(I)(Cu(hfac)(tmvs))气化的气体。8.一种铜薄膜形成装置,乃属于具备有:能使内部保持在减压状态之基板处理室、和在该基板处理室内支持基板之基板支持机构、和将该基板保持在所设定的温度之基板温度控制机构、和使液体原料或固体原料气化而作为原料气体,且对该基板处理室供给原料气体之原料气体导入机构的铜薄膜形成装置中,其特征为:由除去液体添加物中的溶解氧之机构、和使得除去溶解氧的该液体添加物蒸发之机构所构成的添加气体导入机构,是透过流量控制机构被连接在前述基板处理室。9.一种铜薄膜形成装置,乃属于具备有:能使内部保持在减压状态之基板处理室、和在该基板处理室内支持基板之基板支持机构、和将该基板保持在所设定的温度之基板温度控制机构、和使液体原料或固体原料气化而作为原料气体,且对该基板处理室供给原料气体之原料气体导入机构的铜薄膜形成装置中,其特征为:填充使水蒸发的水蒸气之气瓶,是透过流量控制机构被连接在前述基板处理室。图式简单说明:第1图系应用本发明之铜薄膜形成方法之铜薄膜形成装置之概略图。第2图系本发明之铜薄膜形成装置之概略图。第3图系说明本发明之铜薄膜形成方法中之原料气体和添加气体的导入时间之计时图。第4图(a)系说明本发明之其他铜薄膜形成方法中之原料气体和添加气体的导入时间之计时图。第4图(b)系说明本发明之其他铜薄膜形成方法中之成膜速度的时间序列变化图。第5图系本发明之其他铜薄膜形成装置之概略图。第6图系本发明之又一其他铜薄膜形成装置之概略图。第7图系表示黏着性评估试验结果之座标图。第8图系SEM观察实施例1所形成的铜薄膜之电子显微镜相片。第9图系SEM观察实施例1之铜薄膜形成方法中,在添加气体之导入时间为30秒以上的场合所形成的铜薄膜之电子显微镜相片。 |
