Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Eine erste Zwischenverbindung (2) wird in einem ersten Zwischenschichtisolierfilm (1) gebildet. Ein Ätzstopfilm (16) wird auf der ersten Zwischenverbindung (2) gebildet. Auf dem Ätzstopfilm (16) werden aufeinanderfolgend ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm (3) und eine Antireflexionsbeschichtung (4) gebildet, und ein Durchgangsloch (6), welches den zweiten Zwischenschichtisolierfilm (3) und die Antireflexionsbeschichtung (4) durchdringt, wird gebildet, um den Ätzstopfilm (16) zu erreichen. Ein organischer Film (17) wird in dem Durchgangsloch (6) gebildet, und ein Graben (10), der den organischen Film (17) erreicht, wird in dem zweiten Isolierfilm (4) gebildet. Durch Entfernen der Antireflexionsbeschichtung (4) und des Ätzstopfilms (16) am Bodenabschnitt des Durchgangslochs (60) wird ein Teil der Oberfläche der ersten Zwischenverbindung (2) freigelegt, und eine zweite Zwischenverbindung (13) wird im Graben (10) und im Durchgangsloch (6) gebildet.