| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine programmierbare Festwertspeicherzelle (MC) mit einem in einem Graben angeordneten Schwebegate (FG), einer auf dem Schwebegate (FG) ausgebildeten epitaktischen Kanalschicht (EPI), die eine Source (S)- mit einer Drain (D)-Elektrode verbindet und einem über der Kanalschicht (EPI) angeordneten Auswahlgate (CG).</p> |
