Verfahren zum Ätzen einer Schicht in einem Graben und Verfahren zur Herstellung eines Grabenkondensators

摘要

Zur Herstellung eines Grabenkondensators (35) in einem Substrat (5) wird ein Graben (15) in dem Substrat (5) gebildet. Der Graben (15) weist einen oberen Bereich (25) und einen unteren Bereich (30) auf. In dem Graben (15) werden nun zunächst in dem oberen Bereich (25) und dem unteren Bereich (30) Nanokristallite (55) beziehungsweise eine Keimschicht (75) für Nanokristallite (55) abgeschieden. Nachfolgende werden die Nanokristallite (55) beziehungsweise die Keimschicht (75) mittels eines Ätzprozesses aus dem oberen Bereich (25) des Grabens (15) entfernt. Die Ätzparameter des Ätzprozesses werden so gewählt, daß die in dem oberen Bereich (25) und dem unteren Bereich (30) freiliegenden Nanokristallite (55) beziehungsweise die Keimschicht (75) lediglich aus dem oberen Bereich (25) entfernt werden. Folglich kann eine aufwendige Maskenschicht in dem unteren Bereich (30) des Grabens (15) vermieden werden.