制造集成半导体装置的方法、半导体装置和存储单元

摘要

在此阐述了一种方法，其中，在基层(12)的一个面上生成和掺杂一个多晶层(14)。通过快速热氧化在多晶层(14)上如此生成一个氧化物层(16)，使得可以准确地结构化多晶层(14)。

主权项

1.用于制造集成半导体装置(9，100)的方法，其中，在衬底(10)或基层(12)的一个面上生成一个主层(14)，其中，所述的主层(14)在生成时或在生成之后被掺杂，其中，在所述的主层(14)上通过热氧化生成一个氧化物层(16)，和其中，将所述的主层(14)结构化，其中，在高于900℃的温度下以小于65秒的时间实施所述的热氧化，和其中，在生成主层(14)之后的所述的热氧化是用一种处理温度的第一处理步骤，该处理温度高于或约等于生成主层(14)时的处理温度。