| 发明名称 | 垂直取向的超小型熔断器和超小型电阻器的电路元件 | ||
| 摘要 | 一种含有熔断器和电阻器的垂直取向的超小型电路(100，300)可以达到相当高的密度，该垂直取向的超小型电路(100，300)可以采用类如Damascene、湿刻蚀、活性刻蚀等的已知标准方法制成，因此除了需要现成的近代化设备外，几乎不需要额外的投资，采用此种垂直取向的超小型电路(100，300)的装置，其制造成本也不高。 | ||
| 申请公布号 | CN1409396A | 申请公布日期 | 2003.04.09 |
| 申请号 | CN02143779.3 | 申请日期 | 2002.09.28 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | T·C·安东尼 |
| 分类号 | H01L27/00;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥凌 |
| 主权项 | 1.一种垂直取向的超小型电路(190、300)，其包括：一个在第一方向上伸展的上导体(160、360)；一个在第二方向上伸展的下导体(110、310)，从而在上导体(160、360)和下导体(110、310)之间限定一个重叠区(115、315)，所述下导体(110、310)同所述上导体(160、360)成电连接；一个在所述重叠区(115、315)内形成且同所述上导体(160、360)和下导体(110、310)成电连接的垂直取向的导电衬垫(130、330)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||