| 发明名称 | 以一次可编程熔断器/抗熔断器组合为基础的存储单元 | ||
| 摘要 | 一种包括一熔断器(130，330)和一抗熔断器(180，380)串联的一次可编程存储单元(100，300)，该存储单元有两种状态：一初始状态和一已写(已编程)状态，在初始状态中，单元的电阻是有限的，一般以抗熔断器的较高电阻为主，而在已写状态中，因为熔断器击穿而造成开路，故电阻是无限的，对该单元(100，300)的编程是通过跨越单元(100，300)加一个临界电压，产生一个临界电流，促使熔断器(130，330)断开。当加临界电压时，一般将使抗熔断器(180，380)击穿，从而在熔断器上产生一个高电流脉冲，用跨越存储单元加输入电压的方法检测此状态，如果存储器已经编程，则有可以测定数量的电流流动，否则将无电流流动。 | ||
| 申请公布号 | CN1409399A | 申请公布日期 | 2003.04.09 |
| 申请号 | CN02143769.6 | 申请日期 | 2002.09.28 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | T·C·安东尼 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥凌 |
| 主权项 | 1.一种存储单元(100，300)，其包括：一个在第一方向上伸展的上导体(160、360)；一个在第二方向上伸展的下导体(110、310)，从而在所述上导体(160、360)和下导体(110、310)之间限定一个重叠区(115、315)，所述下导体(110、310)同所述上导体(160、360)成电连接；一个在所述重叠区(115、315)内形成、并同所述上导体(160、360)和下导体(110、310)成电连接的熔断器(130、330)；以及一个同所述熔断器(130、330)电学串联形成的抗熔断器(180、380)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||