发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
提供一种发光器件,它能够以高速执行信号电流写入操作,而不存在构造象素的TFT特性中的分散对发光元件亮度的影响。在信号电流的写入期间电流在其中流动的晶体管的栅长度L被制成小于在光发射期间其中提供给EL元件的电流在其中流动的晶体管的栅长度L,并因此通过有比在常规EL元件中流动的电流大的电流流动进行高速写入。转换和驱动晶体管用于信号写入。通过在光发射期间将电流提供发光元件时使用转换和驱动晶体管以及驱动晶体管,与使用其中使用不同的晶体管进行写入操作和光发射操作的结构相比,可使晶体管特性中的分散对亮度产生较小的影响。 |
申请公布号 |
CN1409289A |
申请公布日期 |
2003.04.09 |
申请号 |
CN02142514.0 |
申请日期 |
2002.09.23 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
木村肇 |
分类号 |
G09G3/32;H01L27/00;G02F1/133;H05B33/00 |
主分类号 |
G09G3/32 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吴立明;梁永 |
主权项 |
1.一种半导体器件,它包括:第一装置,用于将输入信号电流转换为电压,并将相应于转换后的电压的电流从电源提供到负载;第二装置,用于存储转换后的电压;第三装置,用于选择存储或释放第二装置中的电压;以及第四装置,用于在输入信号电流的周期内阻挡将电流从电源提供到负载,并在驱动负载的周期内将相应于转换后的电压的电流从电源提供到负载。 |
地址 |
日本神奈川县 |