扁平单元结构的掩膜只读存储器制造方法

摘要

本发明提供一种扁平单元结构的掩膜只读存储器制造方法，能防止因图形密度差引起的抛光不均匀、节省制造时间和成本。本发明包括：提供具有扁平单元阵列区域和周边电路区域的半导体基片的步骤；在基片上形成第一和第二掩膜图形步骤；在所述露出的基片部分内离子注入规定导电型杂质的离子注入步骤；在扩散层表面上形成保护层氧化膜的步骤；在线型氧化膜上填平所述沟槽的蒸镀氧化膜的步骤；抛光所述氧化膜直至所述第一和第二掩膜图形表面露出的抛光步骤；在周边电路区域形成沟槽型元件隔离膜的步骤。

主权项

1.一种扁平单元结构的掩膜只读存储器制造方法，其特征在于，包括：提供具有扁平单元阵列区域和周边电路区域的半导体基片的步骤；在基片上形成使所述基片上对应于扁平单元阵列区域上的扩散层形成区域和周边电路区域上的沟槽型元件隔离膜形成区域的基片部分分别露出的第一和第二掩膜图形步骤；在所述露出的基片部分内离子注入规定导电型杂质的离子注入步骤；通过蚀刻所述露出的周边电路区域的基片部分形成沟槽的步骤；通过热氧化工序在所述第一和第二掩膜图形和沟槽表面上形成线型氧化膜并在扁平单元阵列区域形成扩散层后在所述扩散层表面形成保护层氧化膜的步骤；在所述线型氧化膜上填平所述沟槽的蒸镀氧化膜的步骤；抛光所述氧化膜直至所述第一和第二掩膜图形表面露出的抛光步骤；除去所述第一和第二掩膜图形后在扁平单元阵列区域形成扩散层并在周边电路区域形成沟槽型元件隔离膜的步骤。