发明名称 新型光存储发光材料及其用途
摘要 本发明属于光存储发光材料,特别涉及可用来探测医疗X线诊断影像,工业无损探伤的掺杂型稀土离子激活的氟溴碘钡(BaFBrI:Re)光存储发光材料及其用途。合成的稀土离子激活的氟溴碘钡(BaFBrI:Re)中掺入三价和四价金属离子形成的化合物(Ba(1-x-y)MIIIxMIVyFBrzI1-z:aRe)。其化合物合成工艺及条件依次为:将各类化合物按化学计量比逐一称取溶于蒸馏水中制成溶液或悬浊液,搅拌进行混合,再进行干燥,干燥温度小于所选取各类化合物熔点中最小的化合物的熔点;对化合物进行灼烧,灼烧时的气氛为弱还原性气氛,灼烧完毕的样品随炉温冷却至室温,研磨过筛后的成品化合物即可涂屏。所匹配的激励波长段为650纳米—700纳米。大大简化了该新型存储发光材料的涂覆制成的X线影像板的读出系统的设计,增加了选择匹配激励光源的弹性范围。
申请公布号 CN1408814A 申请公布日期 2003.04.09
申请号 CN01142151.7 申请日期 2001.09.14
申请人 天津理工学院 发明人 熊光楠;余华;娄素云
分类号 C09K11/84;A61K49/04 主分类号 C09K11/84
代理机构 天津市才智有限责任专利代理事务所 代理人 王顕
主权项 1.一种新型光存储发光材料,是由稀土离子激活的氟溴碘钡(BaFBrI:Re)中掺入三价和四价金属离子形成的化合物,其化学分子式为: Ba(1-x-y)MIIIxMIVyFBrzI1-z:aRei)其中:MIII为三价金属离子,是铝(Al),镓(Ga),铟(In),铊(Tl),钪(Sc),钇(Y)之一;MIV为四价金属离子,是硅(Si),锗(Ge),锡(Sn),铅(Pb),钛(Ti),锆(Zr)之一;Re为稀土离子,是镧(La),铈(Ce),镨(Pr),钕(Nd),钐(Sm),铕(Eu),钆(Gd),铽(Tb),镝(Dy),钬(Ho),铒(Er),铥(Tm),镱(Yb),镥(Lu)之一;(1-x-y),x,y,z为分子式的下标,表示分子式中各元素的化学计量比,x,y的取值范围为:0<x≤0.5,0<y≤0.5,0<x+y<1.0,0≤z≤1;a为稀土离子的掺入计量比,a的取值范围为0<a≤0.1。
地址 300191天津市红旗南路263号天津理工学院材料物理所