| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法，在目前的功率MOSFET中，在实际工作区域最外周的栅极底部产生电场集中，招致漏极－源极(或集电极－发射极)间耐压恶化。本发明通过使实际工作区域最外周的沟道比实际工作区域的沟道浅。可缓和在实际工作区域最外周的栅极底部的电场集中，能够抑制漏极－源极(或集电极－发射极)间的耐压恶化，而且通过使最外周的沟道开口部变窄，可在同一工序形成深度不同的沟道。 | ||
| 申请公布号 | CN1409408A | 申请公布日期 | 2003.04.09 |
| 申请号 | CN02143281.3 | 申请日期 | 2002.09.25 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 及川慎;江藤弘树;久保博稔;宫原正二 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;马高平 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于：配列多个沟道结构的晶体管单元的实际工作区域最外周的沟道深度比其他沟道浅。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||