| 发明名称 | 光波导内双折射的控制 | ||
| 摘要 | 描述了一种控制硅制造的肋状波导结构内双折射的方法。该种肋状波导结构包括一个具有一个上表面(5)和两个侧表面(6)的拉长肋状元件(4)。按照此种方法，在该肋状波导结构上形成一个预定厚度的氮化硅覆盖层(8)，直接与上表面(5)和侧表面(6)相邻接。选择该覆盖层的厚度以控制双折射。还描述了一种含这种层(8)的硅肋状波导结构和一种渐逝耦合器。 | ||
| 申请公布号 | CN1409827A | 申请公布日期 | 2003.04.09 |
| 申请号 | CN00817131.9 | 申请日期 | 2000.12.14 |
| 申请人 | 博克汉姆技术股份有限公司 | 发明人 | L·柯林 |
| 分类号 | G02B6/12 | 主分类号 | G02B6/12 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 1.一种控制硅制成的肋状波导结构内双折射的方法，该肋状波导结构包括一个具有一个上表面和两个侧表面的拉长肋状元件，其特征在于，该方法包括：在所述肋状波导结构上形成预定厚度的氮化硅覆盖层，直接与所述上表面和侧表面相邻接。 | ||
| 地址 | 英国牛津郡 | ||