GRAVURE DU SILICIUM A PARTIR D'UNE TECHNIQUE DE FABRICATION DE SILICIUM POREUX BASEE SUR UNE ATTAQUE CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR. SON ASPECT TECHNOLOGIQUE ET SON APPLICATION, NOTAMMENT DANS LA REALISATION DE MONTAGE OU DE COMPOSANTS A SEMI CONDUCTEURS.

摘要

LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UNE TECHNIQUE DE GRAVURE APPLICABLE A LA FABRICATION DES DISPOSITIFS A BASE DE SEMI-CONDUCTEURS (SILICIUM). CETTE TECHNIQUE DE GRAVURE SE FAIT A TRAVERS LA TRANSFORMATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POREUX. REALISEES PAR ATTAQUE CHIMIQUE A LA PHASE VAPEUR (ACPV),VEN UNE NOUVELLE PHASE DE FORMULE CHIMIQUE (NH4)2 SiF6 FORTEMENT SOLUBLE DANS L'EAU, COMPRENANT DES MONOCRISTAUX LUMINESCENTS DE SILICIUM. UN REACTEUR FUT CONSTRUIT, OU L'ATTAQUE DU CILICIM EST ASSURE PAR DES VAPEURS ACIDES ISSUES D'UN MELANGE DE HF/HNO3. CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PERMET DE CONTROLER LA PROFONDEUR A GRAVER SUR LE SILICIUM DE TOUS TYPES. CETTE TECHNIQUE SE DISTINGUE PAR LA SIMPLICITE DE SA MISE EN OEUVRE, SON ADAPTATION POUR RECOUVRIR DES GRANDES SURFACES ET PERMET UNE PRODUCTION A GRANDE ECHELLE. ELLE SERAIT DONC TRES PROMETTEUSE POUR LES PROCEDES DE FABRICATION DES COMPSANTS SEMI-CONDUCTEURS ET DES CELLULES SOLAIRES.