发明名称 Verwendung von AIN als Kupferpassivierungsschicht und Wärmeleiter
摘要 A copper interconnect structure is disclosed as comprising a copper layer and an aluminum nitride layer formed over the copper layer. The aluminum nitride layer passivates the copper layer surface and enhances the thermal conductivity of a semiconductor substrate by radiating heat from the substrate as well as from the copper layer.
申请公布号 DE10196065(T1) 申请公布日期 2003.04.03
申请号 DE2001196065T 申请日期 2001.04.10
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 MCTEER, ALLEN
分类号 H01L23/522;H01L21/318;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/367;H01L23/52;H01L23/532;(IPC1-7):H01L23/367 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人
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