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Es wird eine Halbleitervorrichtung geschaffen, die die Verringerung der Abtastgeschwindigkeiten mehrerer Leseverstärker wegen ihrer Ansteuerungen vermeidet. In der Halbleitervorrichtung ist an einer Hauptoberfläche einer Epitaxieschicht (3) selektiv eine P-Wannenschicht (6) angeordnet, die P-Störstellen enthält. Es ist eine N-Bodenschicht (7), die N-Störstellen enthält, angeordnet, die mit einer Unterseite der P-Wannenschicht (6) in Kontakt steht. Eine P-Wannenschicht (2) ist mit einer solchen Dicke angeordnet, daß sie mit der N-Bodenschicht (7) in Kontakt steht, so daß die N-Bodenschicht (7) und die P-Wannenschicht (2) einen PN-Übergang bilden. Ferner sind an der Hauptoberfläche der Epitaxieschicht (3) selektiv eine N-Wannenschicht (4), die N-Störstellen enthält, und eine P-Wannenschicht (5), die P-Störstellen enthält, angeordnet, so daß die P-Wannenschicht (6) zwischen ihnen liegt.
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