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Eine insbesondere für die Mikrolithographie vorgesehene Projektionsbelichtungsanlage dient zur Erzeugung eines Bilds einer in einer Objektebene angeordneten Maske (2) in einer Bildebene. Die Projektionsbelichtungsanlage weist eine Projektionslicht emittierende Lichtquelle und eine zwischen der Maske (2) und dem Bild (36) angeordnete Projektionsoptik (1) auf. Ausgehend von der Maske (2) sind im Strahlengang der Projektionsoptik (1) angeordnet: Eine erste Gruppe (LG1) optischer Komponenten mit insgesamt positiver Brechkraft; eine zweite Gruppe (LG2) optischer Komponenten mit insgesamt negativer Brechkraft; eine dritte Gruppe (LG3) optischer Komponenten mit insgesamt positiver Brechkraft; eine vierte Gruppe (LG4) optischer Komponenten mit insgesamt negativer Brechkraft und eine fünfte Gruppe (LG5) optischer Komponenten mit insgesamt positiver Brechkraft. Mindestens drei optische Untergruppen (2, 8, 9, 17; 6, 8, 9, 17; 2, 8, 9, 17, 31; 2, 8, 9, 17, 23, 31; 6, 8, 9, 17, 23, 31) aus mindestens einer optischen Komponente sind längs der optischen Achse der Projektionsoptik (1) verschiebbar. Die erste optische Untergruppe umfaßt die Maske (2) oder mindestens eine optische Komponente (6) aus der ersten Gruppe (LG1) optischer Komponenten. Die zweite optische Untergruppe umfaßt mindestens eine optische Komponente (8, 9) aus der zweiten (LG2) oder der dritten (LG3) Gruppe optischer Komponenten. Die dritte optische Untergruppe umfaßt mindestens eine optische Komponente (17) aus der ...
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