| 发明名称 | 硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造太阳能电池半导体薄膜的硅烷组合物，所述硅烷组合物含有：用式Si<SUB>n</SUB>R<SUB>m</SUB>所示的聚硅烷化合物(式Si<SUB>n</SUB>R<SUB>m</SUB>中，n为3以上的整数，m为n～(2n+2)的整数，m个R互相独立地为氢原子、烷基、苯基或卤素原子，当m个R全部为氢原子、且m＝2n时，n为7以上的整数)和(B)从环戊硅烷、环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷中选择的至少一种硅烷化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1407018A | 申请公布日期 | 2003.04.02 |
| 申请号 | CN02129797.5 | 申请日期 | 2002.08.14 |
| 申请人 | 捷时雅株式会社 | 发明人 | 志保浩司;加藤仁史 |
| 分类号 | C08L83/16;C09D183/16;H01L31/0216 | 主分类号 | C08L83/16 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种硅烷组合物，其特征在于，含有：(A)用式SinRm所示的聚硅烷化合物和(B)从环戊硅烷、环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷中选择的至少一种硅烷化合物，其中，式SinRm中，n为3以上的整数，m为n～(2n+2)的整数，m个R互相独立地为氢原子、烷基、苯基或卤素原子，当m个R全部为氢原子、且m＝2n时，n为7以上的整数。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||