发明名称 在发射层中具有二芳基蒽梯形聚合物的电场致发光器件
摘要 具有阳极,阴极和设置在阳极和阴极之间的发射层的有机发光二极管,该发射层包括下列重复单元,其用于形成包括以下结构的均聚物或共聚物,其中各术语如说明书中所定义。
申请公布号 CN1407838A 申请公布日期 2003.04.02
申请号 CN02142114.5 申请日期 2002.08.28
申请人 伊斯曼柯达公司 发明人 郑世莺;石建民
分类号 H05B33/14;H01L33/00 主分类号 H05B33/14
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张元忠;郭广迅
主权项 1.具有阳极,阴极和设置在阳极和阴极之间的发射层的有机发光二极管,该发射层包括下列重复单元,其用于形成包括以下结构的均聚物或共聚物:<img file="A0214211400021.GIF" wi="597" he="282" />其中:0≤x<1,0<y≤1,和x+y=1;S和T各自独立地是化学键,氧或硫原子,或-R,或N-R,其中C是碳原子,N是氮原子,和R是取代基,该取代基包括氢,具有1-24个碳原子的烷基,或具有6-28个碳原子的芳基或取代芳基,或具有4-40个碳原子的杂芳基或取代杂芳基,或氰基,硝基,氯,溴,或氟原子;在包括D和E的每个环中,如果D或E是单键,则其它基团不是单键并且是R-C-R,其中C是碳原子和R是取代基;Ar<sup>1</sup>,Ar<sup>2</sup>,和Ar各自是具有6-40个碳原子的芳基或取代芳基;或Ar<sup>1</sup>,Ar<sup>2</sup>,和Ar各自是具有4-40个碳原子的取代杂芳基或未被取代的杂芳基。
地址 美国纽约州