发明名称 Manufacturing method of an integrated semiconductor arrangement
摘要 <p>Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem an einer Fläche einer Grundschicht (12) eine polykristalline Schicht (14) erzeugt und dotiert wird. An der polykristallinen Schicht (14) wird durch schnelle thermische Oxidation eine Oxidschicht (16) so erzeugt, dass die polykristalline Schicht genau (14) strukturiert werden kann. &lt;IMAGE&gt;</p>
申请公布号 EP1298711(A2) 申请公布日期 2003.04.02
申请号 EP20020018590 申请日期 2002.08.19
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 HAMMER, MARKUS
分类号 H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/788;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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