| 发明名称 | 制造互补MOS半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备互补MOS半导体器件的方法，其步骤为：在半导体衬底的主表面上形成栅绝缘膜；在所说栅绝缘膜上形成第一非晶硅膜；在所说第一非晶硅膜的表面上形成约1nm厚的氧化物膜；在所说氧化物膜上形成第二非晶硅膜；退火所说第一和第二非晶硅膜，以便所说第一和第二非晶硅膜结晶；将所说第一非晶硅膜和所说第二非晶硅膜形成为栅极，同时将n型杂质离子注入到nMOSFET区中，将p型杂质离子注入到pMOSFET区中；用快速热退火激活所说n和p型杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN1104740C | 申请公布日期 | 2003.04.02 |
| 申请号 | CN98100382.6 | 申请日期 | 1998.01.24 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 伊藤浩 |
| 分类号 | H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/8238 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄敏 |
| 主权项 | 1.一种制备互补MOS半导体器件的方法，包括下面步骤：(a)在半导体衬底的主表面形成栅绝缘膜；(b)在所说栅绝缘膜上形成第一非晶硅膜；(c)在所说第一非晶硅膜的表面上形成约1nm厚的氧化物膜；(d)在所说氧化物膜上形成第二非晶硅膜；(e)退火所说第一和第二非晶硅膜，以便所说第一和第二非晶硅膜结晶；(f)将所说第一非晶硅膜和所说第二非晶硅膜形成为栅极，同时将n型杂质离子注入到nMOSFET区中，将p型杂质离子注入到pMOSFET区中；(g)通过快速热退火激活所说n和p型杂质。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||