| 发明名称 | 肖特基势垒二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n+型离子注入区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。由于可使电极间距离接近，可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN1407632A | 申请公布日期 | 2003.04.02 |
| 申请号 | CN02141456.4 | 申请日期 | 2002.08.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 浅野哲郎;小野田克明;中岛好史;村井成行;冨永久昭;平田耕一;榊原干人;石原秀俊 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L21/328 | 主分类号 | H01L29/872 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;马高平 |
| 主权项 | 1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：化合物半导体基板；设在该基板上的平坦的一导电型外延层；穿透所述外延层而设置的一导电型高浓度离子注入区域；第一电极，其在所述高浓度离子注入区域形成欧姆结；第二电极，其与所述外延层形成肖特基结且成为电极的取出部。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||