薄膜晶体管存储器件

摘要

一种存储器件包含薄膜晶体管存储单元的存储器阵列。存储单元包括被绝缘体分隔于栅线的栅电极部分的浮栅。栅电极部分包括在施加写入电压时通过绝缘体扩散的扩散性导体。扩散性导体形成通过绝缘体的导电路径，使栅线耦合到浮栅，改变了栅电容因而也是存储单元的状态。存储单元是三端器件，读出电流在读出过程中不通过存储单元中的导电路径(CP)。由于读出电流不干扰存储单元中的存储机制，故使存储单元变得坚固耐用。可以用使用同一个掩模的多个步骤来制造存储器阵列。

主权项

1.一种对包含多个三端存储单元(200，400)的存储器阵列(100)进行写入的方法，此方法包含：将写入电压施加到被选择的存储单元(200，400)，此写入电压使导电元素通过被选择的存储单元(200，400)扩散，并改变存储单元(200，400)的电容。