发明名称 | 显影处理方法和显影液涂布装置 | ||
摘要 | 对形成对显影液的溶解速度快的抗蚀剂膜并进行曝光处理的晶片的显影处理中,为提高晶片部和外部部的线宽度均匀性,通过最初在晶片上盛装低浓度的显影液并放置规定时间来进行显影反应,接着再向晶片涂布比盛装的显影液浓度高的显影液并放置规定时间,之后进行晶片的漂洗处理。 | ||
申请公布号 | CN1407410A | 申请公布日期 | 2003.04.02 |
申请号 | CN02143756.4 | 申请日期 | 2002.08.28 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 吉原孝介;田中启一;山本太郎;京田秀治;竹口博史;大河内厚 |
分类号 | G03F7/26;G03F7/30;D05B1/00 | 主分类号 | G03F7/26 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 章社杲 |
主权项 | 1.一种显影处理方法,对实施了衬底上的曝光处理的抗蚀剂膜实施显影处理,对应上述抗蚀剂膜的特性调整显影液的浓度来进行显影处理。 | ||
地址 | 日本东京都 |