| 发明名称 | 氮化物半导体光发射装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光发射装置，该装置包括在Si衬底上从Si衬底起按顺序依次重叠的p型氮化物半导体层、发光层和n型氮化物半导体层。部分地除去所述Si衬底，以露出p型氮化物半导体层的一部分。在p型氮化物半导体层露出的区域上形成p型电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1407637A | 申请公布日期 | 2003.04.02 |
| 申请号 | CN02132088.8 | 申请日期 | 2002.09.09 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 幡俊雄;笔田麻佑子;木村大觉 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体光发射装置，该装置包括：在硅衬底上从硅衬底起按顺序依次重叠的p型氮化物半导体层、发光层和n型氮化物半导体层，其中Si衬底被部分地去掉，暴露出p型氮化物半导体层的一部分，在p型氮化物半导体层的暴露的区域上形成p型电极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||