| 主权项 |
1.一种从一半导体基材的移除一光罩层的方法,包括步骤:-提供一半导体基材(1),其上配置一第一层(2),其上配置一第二层(3),其上配置一第三层(4),-图样化第三层(4)的方式为在第三层(4)形成一第一沟槽(5),该沟槽露出第二层(3)表面;-蚀刻第二层(3),使用第三层(4)一蚀刻光罩,在第一沟槽(5)的区域的第二层(3)内形成一第二沟槽(6),该第二沟槽露出第一层(2)表面;-从第二层(3)移除第三层(4);-使用第二层(3)作为一蚀刻光罩蚀刻第一层(2),在第二沟槽(6)的区域内的第一层(2)形成一第三沟槽(7),该第三沟槽露出基材表面;-以此方式在蚀刻的半导体基材上沉积一第四层(8);-执行第四层(8)的化学机械抛光及然后抛光第二层(3),从第二层(3)移除第四层(8)及然后从第一层(2)移除第二层(3),及第四层(8)保留在第三沟槽(7)内。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征为该第一层(2)由一含多晶矽或含金属层形成。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该第一层(2)为一含金属层。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该第一层(2)为含氧化铱或钨或钽或钛或铜或氮化钛或氮化钽或矽化钨或氮化钨或铂或钴或钯或矽化物或氮化物及碳化物层。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该第一层(2)包括复数个层,其中一最上层(21)包括一金属,一中间层(22)包括一介电质及一底层(23)包括一位障层。6.如申请专利范围第5项之方法,其特征为该中间层(22)作为介电质包括钛酸钡锶及钽酸锶铋之一的材料及底层(23)作为位障包括铱、二氧化铱、氧化铝、氮化铝、氧化钛之一的材料。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该第二层(3)由含氮化矽或氧化矽或多晶矽或钛或氮化钛或钨层形成。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该第三层(4)作为一感光光罩层。9.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该第四层(8)由含氧化矽或氮化矽或丁基环丁烯或聚草酸丁酯层形成。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该化学机械抛光的完成系使用一抛光液含固体重量百分比为20%及40%之间或含氨或具有pH为9及11之间。图式简单说明:图1显示一层叠具有一图样化的抗蚀光罩;图2显示图1的层叠,一已经图样化的硬光罩;图3显示图2的层叠,已经移除的抗蚀光罩;图4显示图3的层叠,已经沉积的一中间层;图5显示图4的配置,该配置已经部份利用CMP平坦化;图6显示图5的配置,在利用CMP抛光之后;图7显示根据本发明适合的较佳具体实施例的一层叠具有一图样化抗蚀光罩。 |
