| 主权项 |
1.一种光学晶圆感测系统之反射装置,其中该光学晶圆感测系统至少包括一光发射器用以发出一入射光和一光接收器,且系应用在处理一晶圆之一半导体制程设备中,该光学晶圆感测系统之反射装置至少包括:一反射体,且该反射体具有至少一反射面以反射该入射光至该光接收器以外之区域,以及该反射体系设于该半导体制程设备上,藉以使得置入该晶圆时,该晶圆可位于该光学晶圆感测系统与该反射体之间。2.如申请专利范围第1项所述之反射装置,其中上述之反射体的该反射面为一光滑平面。3.如申请专利范围第1项所述之反射装置,其中上述之反射体为一多边形立体。4.如申请专利范围第1项所述之反射装置,其中上述之反射体为一三角柱立体。5.如申请专利范围第1项所述之反射装置,其中上述之反射体系位于该半导体制程设备之底部。6.如申请专利范围第1项所述之反射装置,其中上述之反射体系位于对应该光接收器的位置。7.一种光学晶圆感测系统之反射装置的操作方法,至少包括:提供一光学晶圆感测系统,且该光学晶圆感测系统至少包括一光发射器和一光接收器;提供一反射体于一半导体制程设备中对应于该光学晶圆感测系统之位置,且该反射体至少具有一反射面,其中该半导体制程设备系用以处理一晶圆;以及当该晶圆未置入该半导体制程设备中时,该反射体可将该光发射器所发出之一入射光反射至未对应于该光接收器之位置。8.如申请专利范围第7项所述之操作方法,其中上述之反射体的该反射面为一光滑平面。9.如申请专利范围第7项所述之操作方法,其中上述之反射体为一多边形立体。10.如申请专利范围第7项所述之操作方法,其中上述之反射体为一三角柱立体。11.如申请专利范围第7项所述之操作方法,其中上述之反射体系位于该半导体制程设备之底部。12.如申请专利范围第7项所述之操作方法,其中上述之反射体系位于对应该光接收器的位置。图式简单说明:第1图为习知半导体制程设备中光学晶圆感测系统之示意图。第2图为习知半导体制程设备中晶圆存在时,光学晶圆感测系统在实际情况下运作之示意图。第3图为习知半导体制程设备中晶圆不在时,光学晶圆感测系统在理想情况下运作之示意图。第4图为习知半导体制程设备中晶圆不在时,光学晶圆感测系统在实际情况下运作之示意图。第5图为在半导体制程设备中运用本发明之一实施例的光学晶圆感测系统之示意图。第6图为在半导体制程设备中运用本发明之一实施例的光学晶圆感测系统之示意图。第7图为在半导体制程设备中运用本发明之另一实施例的光学晶圆感测系统之示意图。 |
