去光阻剂组成分

摘要

本发明系关于一种去光阻剂组合物，其系可于诸如积体电路制程、大型积体电路制程、超大型积体电路制程等等之半导体制程中移除光阻之用。本发明去光阻剂组合物其至少包含a)1O-40%重量百分比之水溶性有机胺化合物；b)40-70%重量百分比之水溶性有机溶剂，其系选自二甲亚(DMSO)、N-甲基咯酮(NMP)、N,N’-二甲基乙醯胺(DMAc)、N,N’-二甲基甲醯胺(DMF)及其之混合物中；c)10-30%重量百分比之水；d)5-15%重量百分比之内含2至3个羟基团之有机苯酚化合物；及e)0.1-10﹪重量百分比之内含一过氟烷基团之阴离子型化合物；及重量百分比之聚环氧乙烷烷胺醚类之界面活性剂。本发明之去光阻剂组合物可轻易、迅速地去除因硬烘烤、乾蚀刻、灰化和/或离子植入制程中所致之劣化、硬化的光阻薄膜，及于上述制程中因蚀刻下层金属所产生之金属副产物所所致之劣化、硬化的光阻薄膜，特别是对移除因蚀刻钨及氮化钛所产生之金属副产物所所致之硬化光阻薄膜最有效。再者，本发明之去光阻剂组合物方可将光阻去除过程中金属基材的腐蚀现象减至最低，并使光阻去除过程中下层金属基材的腐蚀现象减至最低，并当应用在1 giga以上DRAM类型之超大型积体电路金属连线制造过程中，可将下层金属基材的腐蚀现象减至最低。

主权项

1.一种去光阻剂组合物,其至少包含a)10-40%重量百分比之水溶性有机胺化合物;b)40-70%重量百分比之水溶性有机溶剂,其系选自二甲亚(DMSO)、N-甲基咯酮(NMP)、N,N'-二甲基乙醯胺(DMAc)、N,N'-二甲基甲醯胺(DMF)及其之混合物中;c)10-30%重量百分比之水;d)5-15%重量百分比之内含2至3个羟基团之有机苯酚化合物;e)0.5-5%重量百分比之内含一过氟烷基团之阴离子型化合物;及f)0.01-1%重量百分比之聚环氧乙烷烷胺醚类之界面活性剂。2.如申请专利范围第1项所述之去光阻剂组合物,其中之水溶性有机胺化合物系为一氨基醇化合物。3.如申请专利范围第2项所述之去光阻剂组合物,其中之氨基醇化合物系选自2-氨基-1-乙醇、1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丙醇、3-氨基-1-丙醇及其之混合物中。4.如申请专利范围第1项所述之去光阻剂组合物,其中内含2至3个羟基团之有机苯酚化合物系具有下列式1之化合物:[式1]其中m是2或3之整数。5.如申请专利范围第1项所述之去光阻剂组合物,其中内含一过氟烷基团之阴离子型化合物系选自由下列式2所代表之化合物族群中:[式2]RfCOO-M+RfSO3-M+RfSO4-M+RfOP(O)O2-2M2+其中Rf是一氟化或部分氟化之厌水基团,M+是一无机或有机离子,Rf是选自下列:CnF(2n+1)-CnF(2n+1)CmH(2m+1)-CnF(2n+1)OCF2CF2-CnF(2n+1)OC6H4-CnF(2n+1)CONH(CH2)3N=CnF(2n+1)CH2CH2Si(CH3)2-其中m是一介于0至30的整数,且n是一介于0至 30的整数。6.如申请专利范围第1项所述之去光阻剂组合物,其中之聚环氧乙烷烷胺醚类之界面活性剂系具有下列式3之化合物:[式3]其中R是C1-20之烷基、m是一介于0至30的整数、且n是一介于0至30的整数。图式简单说明:第1图是光阻图案的原来状态,其系沉积了1000的钨及700的氮化钛层;第2图显示光阻去除能力测试之扫瞄式电子显微镜照片,其系以实施例4之去光阻剂组合物在65℃下执行去除光阻后所得的结果;且第3图显示光阻去除能力测试之扫瞄式电子显微镜照片,其系以比较实施例1之去光阻剂组合物在65℃下执行去除光阻后所得的结果。