半导体装置及半导体模组

摘要

一种半导体模组及其制造方法，乃因为在硬碟中，安装固接有读写放大用IC之FCA，读写放大用IC的散热性将劣化，使该读写放大用IC的温度上升，导致读写速度大幅降低的情形发生，而对硬碟本身的特性产生极大的影响。本发明乃在绝缘性树脂13背面裸露出半导体元件16背面，并将该金属板23固接于此半导体元件背面。该金属板23背面，便实质上与柔性板背面形成面对面位置状态，而可简单的固接第2支撑元件24。藉此半导体元件所产生的热量，便可透过金属板23、第2支撑元件24，而良好的释放出。

主权项

1.一种半导体装置,系以绝缘性树脂一体化密封半导体元件,且在其背面上裸露出与该半导体元件焊接电极形成电性连接之焊接垫、与该半导体元件背面的半导体装置;其中在该半导体元件之裸露部分上,设置较该焊接垫背面更突出的金属板。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该焊接垫背面与该半导体元件背面,系配置于实质上相同的平面上。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该半导体元件系采用绝缘性树脂固接者。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该半导体元件系采用绝缘性树脂固接者。5.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中该半导体元件背面与该金属板,系采用绝缘性树脂或导电材料固接者。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之半导体装置,其中该绝缘性树脂背面系较该焊接垫背面更突出者。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中该焊接垫侧面、与由该焊接垫侧面延伸的该绝缘性树脂背面,系描绘出相同曲面者。8.一种半导体模组,系具备有第1支撑元件、与半导体装置的半导体模组,而该1支撑元件系设有导电图案者;而该半导体装置系利用绝缘性树脂将与该导电图案垫性连接的半导体元件一体化密封,且在其背面上,则裸露出与该半导体元件焊接电极垫性连接的焊接垫及裸露出该半导体元件背面者;其中在设置于该第1支撑元件上之导电图案上,与电性连接于该焊接垫且相对应于该半导体元件之第1支撑元件上,设置有开口部,在该开口部上,设置固接于该半导体元件背面的金属板。9.如申请专利范围第8项之半导体模组,其中在该第1支撑元件背面上,贴接有固接于该金属板的第2支撑元件。10.如申请专利范围第8项之半导体模组,其中在对应于该金属板之该第2支撑元件上,设置由导电材料所形成的固接板,俾将该固接板与该金属板形成热结合。11.如申请专利范围第9项之半导体模组,其中在对应于该金属板之该第2支撑元件上,设置由导电材料所形成的固接板,俾将该固接板与该金属板形成热结合。12.如申请专利范围第10项之半导体模组,其中该金属板系以Cu为主材料,而该第2支撑元件系以Al为主材料,该固接板则由以形成该第2支撑元件之Cu为主材料的电镀膜所形成者。13.如申请专利范围第8至12项中任一项之半导体模组,其中该绝缘性树脂背面系较该焊接垫背面更突出者。14.如申请专利范围第13项之半导体模组,其中该焊接垫侧面、与由该焊接垫侧面延伸的该绝缘性树脂背面,系描绘出相同曲面者。15.如申请专利范围第8至12项中任一项之半导体模组,其中该半导体元件系硬碟读写放大用IC。16.一种半导体装置,系以绝缘性树脂将半导体元件一体化密封,且在其背面上分别裸露出与该半导体元件焊接电极电性连接的焊接垫、透过与该焊接垫一体化的配线而延伸的外接电极、以及该半导体元件背面的半导体装置;其中,在该半导体元件背面上,设置较该外接电极背面更突出的金属板。17.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中该外接电极背面与该半导体元件背面,系配置于实质上相同的平面上。18.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中该半导体元件背面与该金属板,系采用绝缘性材料或导电材料固接者。19.如申请专利范围第17项之半导体装置,其中该半导体元件背面与该金属板,系采用绝缘性材料或导电材料固接者。20.如申请专利范围第16至19项中任一项之半导体装置,其中该外接电极背面较该绝缘性树脂背面更突出者。21.如申请专利范围第20项之半导体装置,其中该外接电极侧面、与由该外接电极侧面延伸的该绝缘性树脂背面,系描绘出相同曲面者。22.一种半导体模组,系具备有第1支撑元件、与半导体装置的半导体模组,而该1支撑元件系设有导电图案者;而该半导体装置系利用绝缘性树脂将与该导电图案垫性连接的半导体元件一体化密封,且在其背面上,则分别裸露出与该半导体元件焊接电极垫性连接的焊接垫、透过与该焊接垫一体化之配线而设置的外接电极、及裸露出该半导体元件背面者;其中在与设置于该第1支撑元件上之导电图案与该外接电极电性连接且相对应于该半导体元件之第1支撑元件上,设置有开口部,在该开口部上,设置固接于该半导体元件背面的金属板。23.如申请专利范围第22项之半导体模组,其中在该第1支撑元件背面上,贴接有固接于该金属板的第2支撑元件。24.如申请专利范围第22项之半导体模组,其中该外接电极与该金属板,系利用相同材料一体形成者。25.如申请专利范围第23项之半导体模组,其中在对应于该金属板之该第2支撑元件上,设置由导电材料所形成的固接板,俾将该固接板与该金属板形成热结合。26.如申请专利范围第24项之半导体模组,其中该金属板系以Cu为主材料,而该第2支撑元件系以Al为主材料,该固接板则由以形成该第2支撑元件之Cu为主材料的电镀膜所形成者。27.如申请专利范围第22至26项中任一项之半导体模组,其中该绝缘性黏接构件背面系较该外接电极背面更突出者。28.如申请专利范围第27项之半导体模组,其中该外接电极侧面、与由该外接电极侧面延伸的该绝缘性黏接构件背面,系描绘出相同曲面者。29.如申请专利范围第22至26项中任一项之半导体模组,其中该半导体元件系硬碟读写放大用IC。图式简单说明:第1图(A)至(C)系说明本发明半导体模组之示意图。第2图(A)及(B)系说明本发明半导体装置之示意图。第3图(A)及(B)系说明本发明半导体装置之示意图。第4图系说明本发明半导体装置之制造方法的示意图。第5图系说明本发明半导体装置之制造方法的示意图。第6图系说明本发明半导体装置之制造方法的示意图。第7图系说明本发明半导体装置之制造方法的示意图。第8图系说明本发明半导体装置之制造方法的示意图。第9图系说明本发明半导体模组之制造方法的示意图。第10图系说明本发明半导体装置之制造方法的示意图。第11图系说明本发明半导体装置之制造方法的示意图。第12图系说明本发明半导体装置之制造方法的示意图。第13图(A)及(B)系说明本发明半导体装置之示意图。第14图系说明硬碟的示意图。第15图(A)及(B)系说明第14图中所采用之习知半导体模组的示意图。