发明名称 记忆体模组构造
摘要 本创作为一种记忆体模组构造,其系组装于一卡制装置上,包括有一基板,该基板具有固定之长边及短边,该短边上分别形成有卡制孔,用以被该卡制装置卡制住;复数个记忆体,该每一记忆体具适当之长度及宽度,其中数个记忆体系相对于该基板呈横向方式设置于该基板上,另数个记忆体系相对于该基板呈纵向方式设置于该基板上,如是,可将复数个记忆体适当摆设于该基板,可提高记忆模组之记忆容量。
申请公布号 TW527010 申请公布日期 2003.04.01
申请号 TW090218232 申请日期 2001.10.23
申请人 胜开科技股份有限公司 发明人 叶乃华;彭镇滨;林钦福;郑清水
分类号 G11C5/00 主分类号 G11C5/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种记忆体模组构造,其系组装于卡制装置上,其包括有:一基板,该基板具有固定之长边及短边,该短边上分别形成有卡制孔,用以被该卡制装置卡制住;及复数个记忆体,该每一记忆体具适当之长度及宽度,其中数个记忆体系相对于该基板呈横向方式设置于该基板上,另数个记忆体系相对于该基板呈纵向方式设置于该基板上。2.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组构造,其中该基板之长边为67.6 mm,短边为31.75mm。3.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组构造,其中该复数个记忆体中有四个记忆体系相对于该基板呈横向方式设置于该基板上,另四个记忆体系相对于该基板呈纵向方式设置于该基板上。4.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组构造,其中该每一记忆体之长度为15.5mm,而宽度为9mm。5.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组构造,其中该每一记忆体系以中央引线方式封装。6.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组构造,其中该记忆体模组为512M。7.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组构造,其中该基板之长边为67.6mm,短边为31.75mm,该每一记忆体之长度为15.5mm,而宽度为9mm。8.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组构造,其中该每一记忆体系以"与晶片大小尺寸相同封装"(chip scale package)。图式简单说明:图1为习知记忆体模组的示意图。图2为另一习知记忆体模组的示意图。图3为本创作记忆体模组构造的示意图。图4为本创作记忆体模组构造的实施图。图5为本创作记忆体模组构造的剖视图。
地址 新竹县竹北市泰和路八十四号