| 主权项 |
1.一种聚合方法,其包括将烯烃在气相或浆相中与一活化剂,一担体和一下式所表化合物组合:其中M为第3至14族金属,各X独立地为一阴离子脱离基,n为M的氧化态,m为YZL配位子的式电荷,Y为第15族元素,Z为第15族元素,L为第15或16族元素,R1和R2独立地为C1至C20烃基,含杂原子基,矽,锗,锡,铅,磷或卤素,R1和R2也可彼此连接,R3不存在或为氢,含第14族原子的基,卤素,或含杂原子基,R4和R5独立地为芳基,经取代芳基,环状烷基,经取代环状烷基,或多环系统,R6和R7独立地为不存在,或为氢,卤素,杂原子或烃基,或含杂原子基。2.如申请专利范围第1项之方法,其中M为第4,5或6族过渡金属。3.如申请专利范围第1项之方法,其中M为锆或铪。4.如申请专利范围第1项之方法,其中各X独立地为氢,卤素或烃基。5.如申请专利范围第1项之方法,其中R1和R2独立地为C1至C6烃基。6.如申请专利范围第1项之方法,其中R1和R2为C1至C20烷基,芳基或芳烷基。7.如申请专利范围第1项之方法,其中m为0,-1,-2,或-3且n为+3,+4或+5。8.如申请专利范围第1项之方法,其中R3不存在或为氢或甲基。9.如申请专利范围第1项之方法,其中R4和R5独立地为C1至C20烃基。10.如申请专利范围第1项之方法,其中R4和R5独立地为C1至C20芳基或C1或C20芳烷基。11.如申请专利范围第1项之方法,其中R4和R5独立地为环状芳烷基。12.如申请专利范围第1项之方法,其中R4和R5独立地为下式所表之基:其中R8至R12独立地各为氢,C1到C20烷基,杂原子,或含有多达40个碳原子的含杂原子基,且任何两R基可组合形成一环状基或一杂环基。13.如申请专利范围第12项之方法,其中R8为甲基,乙基,丙基,或丁基及/或R9为甲基,乙基,丙基,或丁基及/或R10为甲基,乙基,丙基,或丁基及/或R11为甲基,乙基,丙基,或丁基及/或R12为甲基,乙基,丙基,或丁基。14.如申请专利范围第13项之方法,其中R9,R10和R12为甲基且R8和R11为氢。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该活化剂包括烷基铝化合物,铝氧烷,改质铝氧烷,非配位性阴离子,硼烷,硼酸盐及/或游离性化合物。16.如申请专利范围第1项之方法,其中该烯烃包括乙烯。17.如申请专利范围第1项之方法,其中该烯烃包括丙烯。18.如申请专利范围第1项之方法,其中该烯烃包括乙烯和一C3至C20烯烃。19.如申请专利范围第1项之方法,其中该烯烃包括乙烯和己烯及/或丁烯。20.如申请专利范围第1项之方法,其中该所制聚合物具有200,000道耳吞或更大之分子量。21.如申请专利范围第1项之方法,其中该过渡金属化合物及/或活化剂系经置于一担体上之后,再置于气相或浆相中。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该担体为细分聚烯烃,滑石,或氧化矽,氯化镁,氧化钛,氧化铝,或氧化矽-氧化铝之氧化物。23.如申请专利范围第1项之方法,其中该过渡金属化合物与活化剂系经组合,接着置于一担体上,再置于气相或浆相中。24.如申请专利范围第1项之方法,其中系将金属硬脂酸盐与过渡金属化合物及/或活化剂及/或担体组合。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该金属硬脂酸盐为硬脂酸铝。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该硬脂酸铝为铝二硬脂酸盐。27.一种聚合方法,其包括将烯烃在气相或浆相中与一活化剂,一担体和一下式所表化合物组合:其中M为第3至14族金属,各X独立地为一阴离子脱离基,n为M的氧化态,m为YZL配位子的式电荷,Y为第15族元素,Z为第15族元素,L为第15或16族元素,R1和R2独立地为C1至C20烃基,含杂原子基,矽,锗,锡,铅,磷或卤素,R1和R2也可彼此连接,R3不存在或为氢,含第14族原子的基,卤素,或含杂原子基,R4和R5独立地为芳基,经取代芳基,环状烷基,经取代环状烷基,或多环系统,R6和R7独立地为不存在,或为氢,卤素,杂原子或烃基,或含杂原子基,但其限制条件为L系经结合到Y或Z中之一者且R1或R2中有一者系经结合到L而非Y或Z。28.一种制造膜的方法,其包括将经由一种聚合方法所制聚合物挤压,吹宿或浇铸成膜,其中该聚合方法包括将烯烃在气相或浆相中与一活化剂,一担体和一下式所表化合物组合:其中M为第3至14族金属,各X独立地为一阴离子脱离基,n为M的氧化态,m为YZL配位子的式电荷,Y为第15族元素,Z为第15族元素,L为第15或16族元素,R1和R2独立地为C1至C20烃基,含杂原子基,矽,锗,锡,铅,磷或卤素,R1和R2也可彼此连接,R3不存在或为氢,含第14族原子的基,卤素,或含杂原子基,R4和R5独立地为芳基,经取代芳基,环状烷基,经取代环状烷基,或多环系统,R6和R7独立地为不存在,或为氢,卤素,杂原子或烃基,或含杂原子基。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该膜为吹宿膜。30.一种制备金属化合物的方法,其包括用一中性配位子与式MnXn所表化合物(其中,M为一第3至14族的金属,n是M的氧化态,X为阴离子基)在非配位性或微弱配位性溶剂中,于20到100℃温度下反应,然后用超量的烷化剂处理混合物,再回收金属错合物。31.如申请专利范围第30项之方法,其中该溶剂具有高于60℃的沸点。32.如申请专利范围第30项之方法,其中该溶剂为醚,甲苯,二甲苯,苯,二氯甲烷及/或己烷。33.如申请专利范围第30项之方法,其中该中性配位子系由下式所表:其中Y为第15族元素,Z为第15族元素,L为第15或16族元素,R1和R2独立地为C1至C20烃基,含杂原子基,矽,锗,锡,铅,磷或卤素,R1和R2也可彼此连接,R3不存在或为氢,含第14族原子的基,卤素,或含杂原子基,R4和R5独立地为芳基,经取代芳基,环状烷基,经取代环状烷基,或多环系统,R6和R7独立地为不存在,或为氢,卤素,杂原子或烃基,或含杂原子基。34.一种制备金属加成物的方法,其包括用一中性配位子与式MnXn所表化合物(其中,M为Zr或Hf,n是M的氧化态,X为卤素)在非配位性或微弱配位性溶剂中,于20℃或更高温度下反应,然后回收该金属加成物。35.如申请专利范围第34项之方法,其中该中性配位子系由下式所表:其中Y为第15族元素,Z为第15族元素,L为第15或16族元素,R1和R2独立地为C1至C20烃基,含杂原子基,矽,锗,锡,铅,磷或卤素,R1和R2也可彼此连接,R3不存在或为氢,含第14族原子的基,卤素,或含杂原子基,R4和R5独立地为芳基,经取代芳基,环状烷基,经取代环状烷基,或多环系统,R6和R7独立地为不存在,或为氢,卤素,杂原子或烃基,或含杂原子基。36.一种反应产物,其系一中性配位子与式MnXn所表化合物(其中,M为Zr或Hf,n是M的氧化态,X为阴离子脱离基)在非配位性或微弱配位性溶剂中,于20到100℃温度下反应而得者。37.一种组成物,其系由下式所表者:其中M为第3至14族金属,各X独立地为一阴离子脱离基,n为M的氧化态,m为YZL配位子的式电荷,Y为第15族元素,Z为第15族元素,L为第15或16族元素,R1和R2独立地为C1至C20烃基,含杂原子基,矽,锗,锡,铅,磷或卤素,R1和R2也可彼此连接,R3不存在或为氢,含第14族原子的基,卤素,或含杂原子基,R4和R5独立地为芳基,经取代芳基,环状烷基,经取代环状烷基,或多环系统,R6和R7独立地为不存在,或为氢,卤素,杂原子或烃基,或含杂原子基。38.如申请专利范围第37项之组成物,其中M为第4,5或6族过渡金属。39.如申请专利范围第37项之组成物,其中M为锆或铪。40.如申请专利范围第37项之组成物,其中各X独立地为氢,卤素或烃基。41.如申请专利范围第37项之组成物,其中R1和R2独立地为C1至C6烃基。42.如申请专利范围第37项之组成物,其中R1和R2为C1至C20烷基,芳基或芳烷基。43.如申请专利范围第37项之组成物,其中m为0,-1,-2,或-3且n为+3,+4或+5。44.如申请专利范围第37项之组成物,其中R3不存在或为氢或甲基。45.如申请专利范围第37项之组成物,其中R4和R5独立地为C1至C20烃基。46.如申请专利范围第37项之组成物,其中R4和R5独立地为C1至C20芳基或C1或C20芳烷基。47.如申请专利范围第37项之组成物,其中R4和R5独立地为环状芳烷基。48.如申请专利范围第37项之组成物,其中R4和R5独立地为下式所表之基:其中R8至R12独立地各为氢,C1到C20烷基,杂原子,或含有多达40个碳原子的含杂原子基,且任何两R基可组合形成一环状基或一杂环基。49.如申请专利范围第48项之组成物,其中R8为甲基,乙基,丙基,或丁基及/或R9为甲基,乙基,丙基,或丁基及/或R10为甲基,乙基,丙基,或丁基及/或R11为甲基,乙基,丙基,或丁基及/或R12为甲基,乙基,丙基,或丁基。50.如申请专利范围第37项之组成物,其中R9,R10和R12为甲基且R8和R11为氢。51.如申请专利范围第37项之组成物,其中M为锆;Y,Z和L各为氮;R1和R2各为CH2-CH2-;R3为氢;R6和R7不存在且R4和R5各为下式所表之基:其中R8至R12独立地各为氢,C1到C20烷基,杂原子,或含有多达40个碳原子的含杂原子基,且任何两R基可组合形成一环状基或一杂环基。52.如申请专利范围第51项之组成物,其中R4和R5各为下式所表之基: |
