| 主权项 |
1.一种适于利用二氧化碳气体雷射来制孔之铜箔板,此铜箔板系经由将一双面经处理过之铜箔设置于热固性树脂组成物层之至少一外层上,其中,此双面经处理过之铜箔在其之至少一表面上设有具高二氧化碳气体雷射能量吸收速率之金属处理层,以致金属处理层系形成于要作为表面层之铜箔的闪亮表面上,及将双面经处理过之铜箔与热固性树脂组成物层在热及压力下层压成形,以经由以上之加热制得金属处理层与铜之合金而制得。2.如申请专利范围第1项之铜箔板,其中,该金属处理层系为包含镍,或镍及钴为基础成份之层。3.如申请专利范围第1项之铜箔板,其中,该热固性树脂组成物系为含有多官能氰酸酯单体,及/或该氰酸酯之预聚物为基础成份之树脂组成物。4.如申请专利范围第1项之铜箔板,其中,该热固性树脂组成物包含10至80重量百分比之绝缘无机填料。5.如申请专利范围第1项之铜箔板,其中,该双面经处理过之铜箔系为经由将B阶段(B-staged)热固性树脂组成物层附着至在具有金属处理层表面之背面的表面,并将所产生之组合在压力下加热,以制得金属处理层之金属与铜之合金,而形成之产物。6.如申请专利范围第1项之铜箔板,其中,该双面经处理过之铜箔系为电解铜箔。7.如申请专利范围第1项之铜箔板,其中,该双面经处理过之铜箔系为经由将热固性树脂组成物片附着至在具有金属处理层表面之背面的表面,并将所产生之组合在压力下加热,以制得金属处理层之金属与铜之合金,而形成之产物。8.如申请专利范围第7项之铜箔板,其中,该热固性树脂组成物片系为聚醯亚胺薄膜。9.如申请专利范围第7项之铜箔板,其中,该热固性树脂组成物片系为含有多官能氰酸酯单体,及/或该氰酸酯之预聚物为基础成份之热固性树脂组成物。10.如申请专利范围第5项之铜箔板,其中,该双面经处理过之铜箔系经由将保护性片材设置于该双面经处理过之铜箔之金属处理表面,及将保护性片材部分黏合至一双面经处理过之铜箔而形成之产物。11.如申请专利范围第10项之铜箔板,其中,该保护性片材系为金属箔或树脂薄膜。12.如申请专利范围第1项之铜箔板,其系经由使用经附着金属箔载体之铜箔而制得之铜箔板,在此经附着金属箔载体之铜箔中,将金属箔设置于一双面经处理过之铜箔之一表面或两表面上,及将金属箔部分黏合至一双面经处理过之铜箔。13.如申请专利范围第12项之铜箔板,其中,将经附着金属箔载体之铜箔及热固性树脂组成物层,层压成形,而制得铜箔板,然后再将载体之金属箔剥除。14.如申请专利范围第12项之铜箔板,其中,该金属箔载体系为厚度200至500微米之铝箔。15.一种在铜箔板内制孔之方法,其中,利用二氧化碳气体雷射之脉冲振荡将如申请专利范围第1项之铜箔板的金属处理层表面直接以具有足以加工铜箔之能量的二氧化碳气体雷射照射,而制造穿孔(penetrationhole)及/或盲通孔(blind via hole)。16.如申请专利范围第15项之方法,其中,该二氧化碳气体雷射之能量系为5至60毫焦耳。17.如申请专利范围第15项之方法,其中,于利用二氧化碳气体雷射制得孔洞后,将产生于孔洞周围之铜箔毛刺移除,及同时将部分的表面铜箔在厚度方向进行平面蚀刻。18.如申请专利范围第15项之方法,其中,该穿孔及/或盲通孔具有80至180微米之直径。19.一种印刷布线板,其系经由使用如申请专利范围第1项之铜箔板的铜箔表面直接以具有10至60毫焦耳能量之二氧化碳气体雷射照射,以制造穿孔及/或盲通孔而制备得。20.如申请专利范围第19项之印刷布线板,其中,该穿孔及/或盲通孔具有80至180微米之直径。21.如申请专利范围第19项之印刷布线板,其中,于利用二氧化碳气体雷射制得孔洞后,利用化学物质将产生于孔洞部分中之铜箔毛刺溶解及移除,及同时将部分的表面铜箔在厚度方向进行平面溶解及移除。22.如申请专利范围第19项之印刷布线板,其中,将如申请专利范围第5项之该双面经处理过之铜箔设置于内板之至少一表面上,以使铜箔侧面向外侧,使所产生之组合在热及压力下层压成形,以制得铜箔板,及将铜箔板之上表面直接以具有足以在铜箔中制孔之能量的二氧化碳气体雷射照射,以制造穿孔及/或盲通孔。23.如申请专利范围第22项之印刷布线板,其中,于利用二氧化碳气体雷射形成孔洞后,利用化学物质将于铜箔板之孔洞部分上膨胀开的铜箔毛刺溶解及移除,及同时将铜箔板之表面铜箔在厚度方向中进行平面溶解及移除至某一程度。图式简单说明:图1系实施例7之说明,其中,将附着有双面经处理过之铜箔之B阶段(B-staged)树脂片附着至保护性金属箔之一表面(1)或两表面(2)。图2系实施例7之说明,其中将多个内板设置于经附着有经处理过之铜箔之B阶段树脂片之间,此经处理铜箔经附着有保护性金属箔。图3显示在实施例8中之(1)在经层压成形之铜箔多层板的下表面上设置衬片(backup sheet),(2)利用二氧化碳气体雷射来制造穿孔及盲通孔,(3)移除毛刺及利用SUEP蚀刻表面铜箔,及(4)进行镀铜之步骤。图4系显示实施例9中之铜箔板之层压成形之构造的说明。图5显示在实施例9中之(2)利用二氧化碳气体雷射在经层压成形之铜箔板中制造供通孔(through hole)用之穿孔,(3)移除毛刺及利用SUEP蚀刻表面铜箔,及(4)进行镀铜之步骤。图6显示在比较实施例4中利用二氧化碳气体雷射在双面铜箔多层板中制孔及进行镀铜之步骤。 |
