| 主权项 |
1.一种有机电致发光装置,包含:至少一阳极;一有机发光区,由一或多层的一有机薄膜层所组成,其相邻于该阳极;及一阴极,其当作一元件;其中,和该阳极接触的层包含(单独或以混合物形式)以式1代表的化合物,[式1]其中,Ar1代表有取代基或无取代基的有5到42个碳原子的伸芳基。Ar2到Ar5分别各自代表有取代基或无取代基的有6到20个碳原子的芳基,Ar2到Ar5至少其中之一有取代基或无取代基的苯乙烯基做为取代基,取代基包括卤素原子、羟基、硝基、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳烃基、取代或未取代的芳族杂环基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷氧羰基及羧基;其特征为将该阳极以紫外光波长100-200nm照射。2.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其中该有机电致发光装置于该有机发光区及该阴极之间具有一电子入射区。3.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其中该阳极为有4eV以上的功函数之一导电性氧化物。4.如申请专利范围第2项之有机电致发光装置,其中该阳极为有4eV以上的功函数之一导电性氧化物。5.一种有机电致发光装置的制造方法,其中该有机电致发光装置具有至少一阳极、一有机发光区,其由一或多层的一有机薄膜层所组成,其相邻于该阳极、及一阴极,其当作一元件,包含以下步骤:将该阳极以紫外光波长100-200nm照射;形成一有机层,其邻接于该阳极,并具有一发光区;及在该有机层上形成一阴极。6.如申请专利范围第5项之有机电致发光装置的制造方法,更包含形成一电子入射区的步骤。7.一种有机电致发光装置,包含:至少一以紫外光波长100-200nm照射过的阳极;一洞入射区;一有机发光区,及;一阴极;其中,该洞入射区及该有机发光区被夹在该阳极及该阴极之间,而该洞入射区具有(单独或以混合物形式)以式62代表的化合物,[式62]其中,Ar11及Ar12分别各自代表有取代基或无取代基的有5到42个碳原子的伸芳基,而Ar13到Ar17分别各自代表有取代基或无取代基的有6到20个碳原子的芳基,在此其取代基为卤素原子、羟基、硝基、氰基、有取代基或无取代基的烷基、有取代基或无取代基的烯基、有取代基或无取代基的环烷基、有取代基或无取代基的烷氧基、有取代基或无取代基的芳族烃基、有取代基或无取代基的芳族杂环基、有取代基或无取代基的芳烷基、有取代基或无取代基的芳氧基、有取代基或无取代基的烷氧羰基及羧基。8.如申请专利范围第7项之有机电致发光装置,其中该有机发光区具有(单独或以混合物形式)以式1代表的化合物。[式1]9.如申请专利范围第7项之有机电致发光装置,其中该有机电致发光装置于该有机发光区及该阴极之间具有一电子入射区。10.如申请专利范围第8项之有机电致发光装置,其中该有机电致发光装置于该有机发光区及该阴极之间具有一电子入射区。11.如申请专利范围第7项之有机电致发光装置,其中该阳极为有4eV以上的功函数之一导电性氧化物。12.如申请专利范围第8项之有机电致发光装置,其中该阳极为有4eV以上的功函数之一导电性氧化物。13.如申请专利范围第9项之有机电致发光装置,其中该阳极为有4eV以上的功函数之一导电性氧化物。14.如申请专利范围第10项之有机电致发光装置,其中该阳极为有4eV以上的功函数之一导电性氧化物。15.一种有机电致发光装置的制造方法,其中该有机电致发光装置具有至少一以紫外光波长100-200nm照射过的阳极、一洞入射区、一有机发光区、及一阴极,包含以下步骤:将该阳极以紫外光波长100-200nm照射;在该阳极上形成该洞入射区;形成该有机发光区;及在该有机发光区上形成该阴极。16.如申请专利范围第15项之有机电致发光装置的制造方法,更包含形成一电子入射区的步骤。图式简单说明:图1为横剖面图,显示出依据本发明的第一个实施例的有机EL装置。图2为横剖面图,显示出依据本发明的第二个实施例的有机EL装置。图3为横剖面图,显示出依据本发明的第三个实施例的有机EL装置。图4为横剖面图,显示出依据本发明的第四个实施例的有机EL装置。图5为横剖面图,显示出依据本发明的第四个实施例的有机EL装置。图6为曲线图,显示出实例3及比较实例3到5的有机EL装置的亮度-供应电压之特性。图7显示出实例3及比较实例3到5的有机EL装置的电流效率-电流密度之特性。图8显示出实例5及比较实例7的有机EL装置的亮度-供应电压之特性。图9显示出实例5及比较实例7的有机EL装置的电流效率-电流密度之特性。图10显示出实例11及比较实例17.18.20及21的有机EL装置的亮度-供应电压之特性。图11显示出实例11及比较实例17.18.20及21的有机EL装置的电流效率-电流密度之特性。 |
