发明名称 内电压产生电路
摘要 本发明是一种内电压产生电路,依照基准电压产生电路所产生之基准电压,利用位准移位电路用来产生控制电压,藉以从基准电压移位临限值电压部份。依照该控制电压,以源极随耦器模态使差分检测电晶体进行动作,依照内部电压线之电压位准调整电容之充电电压,依照该充电电压从电流驱动电路将电流供给到内部电压线。可以以小占用面积和低消耗电流产生在涵盖宽广温度范围具有一定之电压位准之内电压。
申请公布号 TW526606 申请公布日期 2003.04.01
申请号 TW090105851 申请日期 2001.03.13
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 河野隆司
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种内电压产生电路,其特征是具备有:基准电压产生电路,用来产生基准电压;比较器,用来使上述之基准电压和第1节点之电压进行比较,藉以产生表示该比较结果之信号;电流驱动电晶体,结合在第1电源节点,依照上述之比较器之输出信号用来使电流在上述之第1节点和上述之第1电源节点之间流动;和输出电路,结合在上述之电流驱动电晶体和第2电源节点之间,用来将在上述之电流驱动电晶体流动之电流变换成为电压,藉以在上述之第2节点产生电压,上述之输出电路包含有电压降元件用来在上述之第2节点和上述之第1节点之间产生电压降;和电压补偿电路,依照内部电压线之电压和上述之第2节点之电压之差,用来在上述之内部电压线和第3电源节点之间产生电流之流动。2.如申请专利范围第1项之内电压产生电路,其中上述之电压降元件是二极体连接之第1绝缘闸型场效电晶体;上述之电压补偿电路包含有:电压差检测用元件,依照上述之第2节点之电压和上述之内部电压线之电压之差,用来变化电导;产生电路,用来在内部节点产生与上述电压差检测用元件之检测电压差对应之电压;和驱动元件,依照上述之内部节点之电压,用来在上述之内部电压线和上述之第3电源节点之间,产生电流之流动;上述之电压差检测用元件是与上述之第1绝缘闸型场效电晶体相同导电型之第2绝缘闸型场效电晶体,和上述之第2绝缘闸型场效电晶体以源极随耦器模态进行动作。3.如申请专利范围第1项之内电压产生电路,其中上述之基准电压产生电路具备有:第1电容元件;第2电容元件;预充电装置,在回应时钟信号时用来将电荷储存在上述之第1和第2电容元件;和等化装置,在回应上述之时钟信号时,与上述之预充电装置互补式的导通,用来使上述之第1和第2电容元件电结合到输出节点,在上述之输出节点产生上述之基准电压。4.如申请专利范围第1项之内电压产生电路,其中上述之输出电路更具备有电容元件,结合在上述之电压降元件和上述之第2电源节点之间。5.如申请专利范围第3项之内电压产生电路,其中更具备有用以产生上述之时钟信号之振荡电路,和上述之振荡电路包含有电路用来在从非正常状态转移到正常状态时之过渡期间,使上述时钟信号之周期缩短。6.如申请专利范围第3项之内电压产生电路,其中更具备有电阻分压电路,在从非正常状态转移到正常状态时之过渡期间,结合在上述之输出节点,当该结合时在上述之输出节点产生分压电压。7.一种内电压产生电路,其特征是具备有:第1电容元件;第2电容元件;预充电电路,在回应时钟信号时将电荷储存在上述之第1和第2电容元件;和等化电路,在回应上述之时钟信号时,与上述之预充电电路互补式的被活性化,用来使上述之第1和第2电容元件电结合到输出节点,在上述之输出节点产生基准电压。8.如申请专利范围第7项之内电压产生电路,其中更具备有用以产生上述之时钟信号之振荡电路,和上述之振荡电路包含有电路用来从非正常状态转移到正常状态时之过渡期间,使上述之时钟信号之周期缩短。9.如申请专利范围第7项之内电压产生电路,其中更具备有电阻分压电路,在从非正常状态转移到正常状态时之过渡期间,结合在上述之输出节点,当该结合时在上述之输出点产生分压电压。10.如申请专利范围第7项之内电压产生电路,其中更具备有:比较器,用来使上述之输出节点之基准电压和第1内部节点之电压进行比较;电流驱动元件,在回应上述之比较器之输出信号时,在第2内部节点和第1电源节点之间产生电流之流动;电压降元件,结合在上述之第1和第2内部节点之间,用来在上述之第1和第2内部节点之间产生电压降;和变换元件,结合在上述之电压降元件和第2电源节点之间,用来将上述之电流驱动元件所产生之电流变换成为电压,藉以在上述之第1内部节点产生与该变换电压对应之电压。11.如申请专利范围第10项之内电压产生电路,其中上述之变换元件具备有电容元件。12.一种内电压产生电路,其特征是具备有:内部电压线,用来传达内电压;差分检测用电晶体,用来产生与控制电压和上述内电压之差对应之电流;电容元件,依照上述之差分检测用电晶体所产生之电流,用来决定充电电压;电流驱动电晶体,依照上述电容元件之充电电压用来在上述内部电压线和电源节点之间产生电流之流动;和控制电压产生电路,用来产生控制电压,上述之控制电压产生电路所产生之上述控制电压用来抵消经由上述差分检测用电晶体出现在上述内部电压线之电压之温度相关性。13.如申请专利范围第12项之内电压产生电路,其中上述之差分检测用电晶体是以源极随耦器模态进行动作之绝缘闸型场效电晶体;上述之控制电压产生电路用来产生上述之控制电压藉以抵消上述绝缘闸型场效电晶体之临限値电压对上述内电压之电压位准之影响。14.如申请专利范围第3项之内电压产生电路,其中上述之预充电电路具备有:第1预充电元件,在回应上述之时钟信号时,使上述之第1电容元件结合到第1电源节点;和第2预充电电路,在回应上述之时钟信号时,使上述之第2电容元件结合到第2电源节点。15.如申请专利范围第7项之内电压产生电路,其中上述之预充电电路具备有:第1结合元件,在回应上述之时钟信号时,使上述之第1电容元件结合到用以供给第1电源电压之第1电源节点;和第2结合元件,在回应上述之时钟信号时,使上述之第2电容元件结合到用以供给与上述第1电源电压不同逻辑位准之第2电源电压之第2电源节点。图式简单说明:图1表示本发明之实施形态1之内电压产生电路之构造。图2表示本发明之实施形态2之内电压产生电路之构造。图3表示本发明之实施形态2之变更例。图4概略的表示图3所示之时钟信号之产生部之构造。图5表示图3所示之POR产生电路之构造之一实例。图6是信号波形图,用来表示图5所示之POR产生电路。图7概略的表示图4所示之可变周期时钟产生电路之构造。图8是信号波形图,用来表示图7所示之电路之动作。图9表示图4所示之可变周期时钟产生电路之变更例。图10表示图9所示之环式振荡器之构造之一实例。图11表示本发明之实施形态4之内电压产生电路之主要部份之构造。图12表示本发明之实施形态5之内电压产生电路之主要部份之构造。图13表示本发明之实施形态5之变更例。图14是信号波形图,用来表示图13所示之内电压产生电路之动作。图15概略的表示本发明之实施形态6之内电压产生电路之构造。图16概略的表示习知之DRAM之剖面构造。图17A表示习知之DRAM单元之各个节点之施加电压,图17B表示BSG方式之记忆单元之各个节点之施加电压。图18A表示成为本发明之出发点之内电压产生电路之构造,图18B是信号波形图,用来表示图18A所示之内电压产生电路之动作。
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