| 主权项 |
1.一种用以制造一双极电晶体的方法,特别是一npn双极电晶体,该方法具有下列步骤:a)一半导体基板,具有一集极、一基极和一轻度掺杂射极层;b)一光罩施加至该轻度掺杂射极层;c)藉由光罩的辅助以湿式化学蚀刻该轻度掺杂射极层,藉此形成一轻度掺杂射极;d)一基极连接形成于该基极未覆盖区域上;e)移除该光罩并形成一高度掺杂射极。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于使用一高度掺杂矽锗基极作为该基极。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该光罩包含一氧化层、一矽层和一氮化层。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于以硷性蚀刻剂,特别是KOH、胆硷及∕或乙二胺,湿式化学蚀刻该轻度掺杂射极层。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该轻度掺杂射极层形成于该基极上方,作为实质上一单结晶层,而湿式化学蚀刻终止于该实质上单结晶层的表面(111)。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于一侧壁间隔,最好是一氮化物间隔,在湿式化学蚀刻该光罩侧壁之前产生。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于一侧壁间隔,最好是一氮化物间隔,在该光罩和该轻度掺杂射极的侧壁上形成基极连接之前产生。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该基极连接藉由选择的磊晶在该基极未覆盖区域上形成。9.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于一侧壁间隔,最好是一氮化物间隔,在该射极窗口的侧壁上形成该高度掺杂射极之前产生。10.一种双极电晶体,特别是npn双极电晶体,具有一半导体基板(10)、一集极(12)、一基极(14)、一轻度掺杂射极(16)和一高度掺杂射极(27),其特征在于该基极(14)的连接(25)与该轻度掺杂射极(16)实质平行导向,并以一侧壁间隔(23)或一pn接合与该轻度掺杂射极(16)隔离。11.如申请专利范围第10项之双极电晶体,其特征在于该基极(14)设计为一高度掺杂矽锗基极。12.如申请专利范围第10或11项之双极电晶体,其特征在于该基极(14)具有一每立方公分高于2 1019的掺杂,特别是p+-型掺杂。13.如申请专利范围第10或11项之双极电晶体,其特征在于该轻度掺杂射极(16)具有一每立方公分低于2 1018的掺杂,特别是n-型掺杂。14.如申请专利范围第10或11项之双极电晶体,其特征在于该轻度掺杂射极(16)设计为一实质上单结晶层且由表面(111)侧面围住。15.如申请专利范围第10或11项之双极电晶体,其特征在于该侧壁间隔(23)设计为一氮化物间隔。16.如申请专利范围第10或11项之双极电晶体,其特征在于该基极连接(25)至少在区域中为单结晶设计。17.如申请专利范围第10或11项之双极电晶体,其特征在于该基极连接(25)为一高度掺杂,特别是p+型掺杂的基极连接。18.如申请专利范围第10或11项之双极电晶体,其特征在于该集极(12)与一掩藏层(11)接触。图式简单说明:图1至9显示根据本发明之方法的第一具体实施例图示。图10至13显示根据本发明之方法的第二具体实施例图示。图14概略显示根据Behammer等人所发表的双极电晶体,以及图15概略显示根据J. Schiz等人所发表的双极电晶体。 |
