| 摘要 |
<p>Bei Dünnschichttransistoren auf flexiblen Substraten kommt es bei Biegung, Scherung oder Dehnung leicht zu Verletzungen der Halbleiterschichten und Ablösungen von der Substratschicht. Die erfindungsgemässe Transistoranordnung ist so aufgebaut, dass in Mikrolöchern (4) eines Folienverbundes, bestehend aus zwei Kunststofffolien (1, 3) mit zwischenliegender Metallschicht (2), vertikal Halbleitermaterial eingebracht ist, welches durch Metallisierung der Ober-und Unterseite des Folienverbundes mit Kontakten (6,7) versehen ist. Da die Folie bieg- und dehnbar ist, ist die Anordnung sehr robust.</p> |
