| 发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit verbesserter Isolation zwischen Basis- und Emitterelektrode und zugehöriges Herstellungsverfahren |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19802596(C2) |
申请公布日期 |
2003.03.27 |
| 申请号 |
DE19981002596 |
申请日期 |
1998.01.23 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
YOSHIHISA, YASUKI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/331;H01L21/768;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/735 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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