发明名称 Verfahren zum Abscheiden einer Metallbarrierenschicht
摘要 Ein Substrat wird in einer Sputter-Kammer derart angeordnet, das es von einem in der Kammer enthaltenen Target beabstandet ist. Ein Störstellengas bzw. ein Fremdatomgas wird in die Sputter-Kammer eingebracht, um so einen Druck innerhalb der Kammer in einen Druckübergangsbereich zu steuern. Ein erster Druck in der Kammer bei einem Anstieg bzw. Anheben des Drucks ist unterschiedlich zu einem zweiten Druck in der Kammer während eines Absenkens des Drucks, wobei eine diesem Druckunterschied entsprechende Menge an Stickstoffgas in die Sputter-Kammer eingebracht wird. Beschleunigte Partikel kollidieren mit dem Target, um das Metallmaterial aus dem Target zu "sputtern". Dementsprechend wird eine Metallbarrierenschicht, die ein Störstellengas, das aus dem Fremdatomgas besteht, und das Metallmaterial enthält, auf dem Substrat abgeschieden.
申请公布号 DE10239066(A1) 申请公布日期 2003.03.27
申请号 DE20021039066 申请日期 2002.08.26
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, JAE-WOOK;KOO, YOON-BON
分类号 H01L21/203;C23C14/00;C23C14/06;H01L21/285;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/285 主分类号 H01L21/203
代理机构 代理人
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