发明名称 Flüchtiger Halbleiterspeicher und mobiles Gerät
摘要 Beschrieben wird ein flüchtiger Halbleiterspeicher (1), der aus mehreren Speichersegmenten (6a, 6b, 6c, 6d) aufgebaut ist. Bei einem flüchtigen Halbleiterspeicher müssen die in den Speicherzellen (3) gespeicherten Informationen regelmäßig wiederaufbereitet werden. Erfindungsgemäß wird das Zeitintervall (T¶n¶), nach dessen Ablauf der Speicherinhalt der Speicherzellen wiederaufbereitet wird, für jedes Speichersegment (6a, 6b, 6c, 6d) individuell eingestellt. Dazu weist der Halbleiterspeicher (1) entsprechende Teilschaltungen (8a, 8b, 8c, 8d) auf, deren Schmelzsicherungen (9) zum Einstellen unterschiedlicher Aufbereitungszeiten einmalig durchgeschmolzen werden können. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Halbleiterspeichers (1) kann der zum Betreiben des Halbleiterspeichers erforderliche Stromverbrauch gesenkt werden, ohne daß dadurch die Zuverlässigkeit der Speicherung vermindert wird. Dadurch können auch mobile Geräte (10), die einen solchen Halbleiterspeicher (1) aufweisen, länger als bisher ohne äußere Spannungsversorgung betrieben werden.
申请公布号 DE10142658(A1) 申请公布日期 2003.03.27
申请号 DE20011042658 申请日期 2001.08.31
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 FEURLE, ROBERT;SAVIGNAC, DOMINIQUE
分类号 G11C11/406;(IPC1-7):G11C11/406 主分类号 G11C11/406
代理机构 代理人
主权项
地址