发明名称 Beschichtete Siliciumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Gegenstand der Erfindung ist eine Siliciumscheibe mit einer polierten Vorderseite mit einer epitaktischen Beschichtung und einer polierten Rückseite, die sich durch einen SFQR¶max¶-Wert von gleich oder kleiner 0,10 mum (26 mm x 8 mm; 99%) auszeichnet. DOLLAR A Gegenstand der Erfindung ist ebenso ein Verfahren zur Herstellung von derartigen Siliciumscheiben durch Aufsägen eines Einkristalls, Ausführen eines Abrasivschrittes, gleichzeitiges Polieren einer Vorderseite und einer Rückseite von mindestens drei Siliciumscheiben und Aufbringen einer epitaktischen Beschichtung, das gekennzeichnet ist durch folgende gleichzeitig erfüllte Bedingungen: DOLLAR A (a) Die Siliciumscheiben besitzen vor dem gleichzeitigen Polieren eine konkave Dickenverteilung, wobei die Zentrumsdicke 1 mum bis 10 mum niedriger ist als die Randdicke und dieser Dickenunterschied innerhalb einer Polierfahrt um gleich oder kleiner 3 mum differiert; DOLLAR A (b) die mittlere Dicke der Siliciumscheiben vor dem gleichzeitigen Polieren differiert innerhalb einer Polierfahrt um gleich oder kleiner 3 mum; und DOLLAR A (c) die Dicke der beim gleichzeitigen Polieren eingesetzten Läuferscheiben ist um 1 mum bis 5 mum niedriger bemessen als die Dicke der fertig polierten Siliciumscheiben.
申请公布号 DE10143741(A1) 申请公布日期 2003.03.27
申请号 DE20011043741 申请日期 2001.09.06
申请人 WACKER SILTRONIC AG 发明人 WENSKI, GUIDO;MARECK, UTE;ALTMANN, THOMAS
分类号 H01L21/205;C30B25/02;C30B33/00;H01L21/02;H01L21/304;(IPC1-7):H01L21/304;B24B7/16 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
地址