发明名称 Flüssiges Material für die Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren, Verfahren zum Ausbilden eines Films durch Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren und Vorrichtung für die Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren
摘要 Eine Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung eines flüssigen Materials zur Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren (CVD), eines Verfahrens zum Ausbilden eines Films mittels CVD und einer CVD-Vorrichtung, die die Ausbildung eines Films aus einer Silikatverbindung mit guter Qualität erreichen können. Ein flüssiges Material für die CVD enthält eine metallorganische Verbindung, eine Siloxanverbindung und ein organisches Lösungsmittel zum Lösen der metallorganischen Verbindung und der Siloxanverbindung. Wenn die metallorganische Verbindung eine Alkoxyl-Gruppe (z. B. eine tertiäre Butoxyl-Gruppe) mit einer größeren Anzahl von Kohlenstoffatomen als eine Propoxyl-Gruppe oder eine beta-Diketon-Gruppe (z. B. 2,2,6,6-Tetramethyl-3,5-Heptanedionat-Gruppe) enthält, wird die Stabilität der Filmausbildung verbessert. Als organisches Lösungsmittel können Diethylether, Tetrahydrofuran, Noroktan, Isooktan und dergleichen verwendet werden. Als Siloxanverbindungen können Trimethoxysilan mit einem hohen Lösbarkeitsgrad in einem nichtpolaren Lösungsmittel sowie Hexamethyldisiloxan und Octamethylcyclotetrasiloxan, die beide in einem polaren Lösungsmittel lösbar sind, verwendet werden.
申请公布号 DE10238776(A1) 申请公布日期 2003.03.27
申请号 DE20021038776 申请日期 2002.08.23
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 HORIKAWA, TSUYOSHI
分类号 H01L21/205;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/448;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/316;(IPC1-7):C23C16/18 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
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